Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko

Natan Faleńczyk | 26-08-2025 09:00 |

Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylkoSK hynix w ostatnim czasie przegoniło firmę Samsung pod względem udziału na rynku pamięci DRAM. Sytuacja ta była wyjątkowa, ponieważ zdarzyła się po raz pierwszy od ponad trzech dekad. Wpływ na nią miała bliska współpraca SK Hynix z marką NVIDIA, ponieważ ta druga odpowiada za akceleratory AI, do których potrzebne są pamięci HBM, które z kolei tworzy pierwsza firma. SK hynix podzieliło się kolejnym osiągnięciem, aczkolwiek tym razem z segmentu pamięci NAND flash.

Firma SK hynix poinformowała, że prace nad rozwojem przeszło 300-warstwowej pamięci NAND (technologia QLC) o stosunkowo dużej pojemności zostały zakończone, a wariant ten wkroczył już w fazę produkcji masowej.

Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko [1]
Źródło: SK Hynix

SK hynix największym producentem pamięci DRAM. Samsung po raz pierwszy stracił pozycję lidera. Powód? NVIDIA

Ogłoszenie od SK hynix odnosi się dokładniej do 321-warstwowej pamięci NAND flash, której pojemność wynosi 2 Tb. Ponadto przedsiębiorstwo podkreśla, że osiągnięcie to jest pierwszą implementacją ponad 300 warstw z użyciem technologii QLC. Nowość ma wkroczyć na rynek w pierwszej połowie 2026 roku - zaraz po tym, jak zakończy się globalna walidacja u klientów. Dość ważną informacją jest również to, że firmie udało się zwiększyć liczbę płaszczyzn* (ang. planes) z czterech do sześci, co bardzo pozytywnie wpływa np. na odczyt.

*Jak podaje SK hynix: "Płaszczyzna odnosi się do komórki i jej obwodów peryferyjnych, które mogą działać niezależnie w ramach jednego układu scalonego".

Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko [2]
Źródło: SK Hynix

SK hynix prezentuje 321-warstwowe moduły UFS 4.1. Powinny idealnie pasować do przyszłych ultracienkich smartfonów

Oprócz większej pojemności niż dotychczas, można liczyć na dwukrotnie szybszy transfer danych. W kwestii zapisu wydajność została zwiększona o 56%, a w przypadku odczytu o 18%. Efektywność energetyczna podczas zapisu została poprawiona o 23%. Najpierw nowa pamięć trafi do nośników SSD, które skierowane są głównie do konsumentów, a dopiero później do tych dla serwerów. W międzyczasie znajdzie swoje miejsce także w smartfonach (UFS). Na koniec można dodać, że celem SK hynix jest także wejście na rynek korporacyjnych SSD (do serwerów obsługujących AI) o bardzo dużej pojemności, korzystając z autorskiej technologii 32DP (32 Die Package), która - jak wskazuje rozwinięcie skrótu - pozwala na ułożenie 32 układów NAND w jednym pakiecie.

Źródło: TechPowerUp, Ikona: Wikimedia Commons, SK hynix
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 19

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.