Nowy rekord świata w overclockingu pamięci RAM DDR5, przebito kolejną barierę, osiągając prędkość 13 020 MT/s
Od maja 2025 roku światowe rekordy w podkręcaniu pamięci RAM DDR5 przesuwały się do przodu powoli, zwykle o kilkanaście MT/s. Ostatnim razem, gdy o tym pisaliśmy, rekord wynosił 12 806 MT/s i wydawało się, że kolejne postępy będą równie drobne, gdyż granice możliwości pamięci DDR5 oraz płyt głównych zaczęły dawać o sobie znać. Tymczasem sytuacja właśnie się zmieniła. Po raz pierwszy udało się bowiem przełamać magiczną barierę 13 000 MT/s.
Overclocker SaltyCroissant po raz kolejny zapisał się w historii ekstremalnego podkręcania, ustanawiając nowy rekord świata dla pamięci RAM DDR5. Tym razem udało mu się osiągnąć imponujące 13 020 MT/s, czyli 6510 MHz, a więc wynik, który pozwolił przekroczyć długo wyczekiwaną, symboliczną barierę.
G.SKILL OC World Cup 2025 - overclocker CENS wygrywa drugie mistrzostwa z rzędu w podkręcaniu pamięci DDR5
Overclocker SaltyCroissant do pobicia rekordu wykorzystał pojedynczy moduł Corsair Vengeance DDR5 o pojemności 24 GB. Platformę stanowiła płyta główna Gigabyte Z890 AORUS TACHYON ICE, zaprojektowana z myślą o ekstremalnym OC. Towarzyszył jej bliżej nieokreślony procesor Intela z rodziny Core Ultra 200. Chłodzenie zapewniał ciekły azot lub hel, co umożliwiło pracę przy skrajnie niskich temperaturach. Dzięki temu moduł pamięci został podkręcony do 13 020 MT/s, czyli 6510 MHz. Ten rezultat pozwolił przekroczyć długo wyczekiwaną, symboliczną barierę.
ASRock Z890 Taichi OCF i G.SKILL Trident Z5 pozwoliły osiągnąć rekord DDR5. 12806 MT/s wyciśnięte przez overclockera
Co ciekawe, mimo że SaltyCroissant pobił rekord, jego wynik nie został jeszcze odnotowany w bazie HWBOT - najprawdopodobniej to jedynie kwestia czasu i pewne formalności. Samo osiągnięcie doskonale pokazuje jednak, że rozwój procesów produkcyjnych umożliwia tworzenie coraz lepszych kości pamięci, czego dowodem są stale rosnące rekordy taktowania. Trzeba jednak pamiętać, że ekstremalny overclocking to w dużej mierze sztuka sama w sobie i ma niewiele wspólnego z codziennym użytkowaniem komputerów. W standardowych zestawach opóźnienia, jakie widać na powyższej grafice, byłyby zupełnie nieakceptowalne, niezależnie od tego, jak wysokie transfery danych udałoby się uzyskać.
Powiązane publikacje

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
16
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6