Pamięć ULTRARAM ma zielone światło. Partner QUINAS Technology opracował metodę, która otwiera furtkę do masowej produkcji

Na rynku pamięci za jakiś czas ma szansę zaistnieć nowy gracz, jakim jest ULTRARAM. Mowa tutaj o pamięci, która może przechowywać dane przez naprawdę długi okres, jest wytrzymała i pobiera niewiele energii. Opracował ją profesor fizyki z Uniwersytetu Lancester, Manus Hayne, który jest przy okazji współzałożycielem firmy QUINAS Technology. Właśnie udało się zamknąć pierwszy etap, który ma otwierać drzwi do masowej produkcji omawianej pamięci. Czego udało się dokonać?

Pamięć ULTRARAM, za którą odpowiada prof. Manus Hayne, ma otwartą drogę do masowej produkcji. Firmie IQE udało się bowiem osiągnąć główny cel, jakim było opracowanie skalowalnego procesu epitaksji.

Jason Leung/Unsplash (edytowane)

Quinas otrzyma 1,1 mln funtów rządowego dofinansowania na rozpoczęcie masowej produkcji nowej pamięci ULTRARAM

Temat pamięci ULTRARAM było już poruszany na PurePC, a jeśli chcemy zapoznać się dokładnym opisem tego rozwiązania, to możemy przejść pod powyższy, niebieski odnośnik. Ta stosunkowa nowość jest określana mianem "niezwykle wydajnej pamięci, która łączy trwałość pamięci do przechowywania danych, takiej jak flash, z szybkością, energooszczędnością i wytrzymałością pamięci roboczej, takiej jak DRAM". Rozwiązanie to ma być w stanie przechowywać dane przez co najmniej 1000 lat, więc na tym polu może mocno wykraczać poza możliwości pamięci flash. Z drugiej strony ma zużywać o wiele mniej energii niż wspomniane pamięci DRAM, a zarazem być od nich 10-krotnie szybsze. Pamięć ULTRARAM korzysta z procesu tunelowania rezonansowego, który znany jest z segmentu mechaniki kwantowej. Wraz z innymi elementami wpływa to na wspomnianą już wytrzymałość, wszak liczba cykli zapisu/kasowania (ang. program/erase) może przekroczyć 10 mln bez utraty właściwości pamięci (według twórców pamięć flash wytrzymuje zazwyczaj ok. 10 tys. takich cykli).

Źródło: Blocks & Files

Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko

Wstęp, mimo że dość długi, zawiera tylko podstawowe informacje. Jeżeli chcemy sięgnąć po oficjalne opracowanie, to znajdziemy je pod tym adresem. Za wynalezienie pamięci ULTRARAM odpowiedzialne jest wspomniane przedsiębiorstwo QUINAS Technology, natomiast za produkcję masową odpowiada już firma IQE. Prezes tej ostatniej, pani Jutta Meier, poinformowała nie tak dawno, że udało się osiągnąć cel, czyli napomknięte opracowanie skalowalnego procesu epitaksji* antymonku galu i antymonku glinu, co ma być kluczowym krokiem w stronę rozpoczęcia masowej produkcji. Oba z napomkniętych przedsiębiorstw rozglądają się za możliwością współpracy z fabrykami chipów (ang. foundry) i partnerami strategicznymi. Wszystko zdaje się zmierzać w dobrym kierunku, aczkolwiek nie można z całą pewnością stwierdzić, jak potoczą się dalsze losy pamięci ULTRARAM. Przydatny i dokładniejszy opis tego, co sie wydarzyło, znajdziemy tutaj.

*Epitaksja: "proces polegający na regulowanym wytwarzaniu warstwy krystalicznej na podłożu krystalicznym, przy czym warstwa osadzona przyjmuje strukturę krystaliczną podłoża" (Blocks & Files).

Źródła: ITC, Blocks & Files, Lancester University, QUINAS Technology, Grafika mobilna: Carl Wang/Unsplash, Ikona: Freepik/Flaticon