Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3 - debiut układu w benchmarku Geekbench. Jednostka rozczarowuje swoją wydajnością

Natan Faleńczyk | 21-11-2023 14:30 |

Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3 - debiut układu w benchmarku Geekbench. Jednostka rozczarowuje swoją wydajnościąW ostatnim czasie Qualcomm zdaje się wprowadzać coraz większy mętlik w nazewnictwie swoich układów. Niektóre jednostki z serii Snapdragon 7 pod względem wydajności są bardziej budżetowe, z kolei inne potrafią przewyższyć w tej kwestii pierwszą generację z serii 8. Dla większości użytkowników to tylko "cyferki", które nie mają większego znaczenia. Faktem jest jednak, że najnowsza jednostka Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3 stoi na poziomie... pierwszej generacji.

Najnowsza jednostka Qualcomma, która ma "zasilić" budżetowe urządzenia, takie jak nadchodzący smartfon Honor 100, zadebiutowała właśnie w benchmarku Geekbench 6. Wydajność Snapdragona 7 Gen 3 jest doprawdy rozczarowująca, szczególnie jeśli weźmiemy pod uwagę poprzedników.

Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3 - debiut układu w benchmarku Geekbench. Jednostka rozczarowuje swoją wydajnością [1]

Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3 oficjalnie zapowiedziany. Producent ponownie miesza w nazewnictwie chipów

Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3 to jednostka składającą się z ośmiu rdzeni w układzie klastrów 1 + 3 + 4. Główny rdzeń Cortex-A715 może pracować z częstotliwością 2,63 GHz, kolejne trzy rdzenie Cortex-A715 wyróżnia maksymalne taktowanie na poziomie 2,4 GHz, z kolei ostatnie cztery to Cortex-A510 o taktowaniu do 1,8 GHz. Omawiany wariant znalazł się w nadchodzącym smartfonie Honor 100 i wraz z nim doczekał się swojego debiutu w benchmarku Geekbench 6.2.0. Uzyskana wartość w pomiarach wydajności jednego rdzenia to 1139 punktów, natomiast w przypadku wielu rdzeni jest to 3375 punktów. Warto podkreślić, że wersja oprogramowania smartfona może nie być odpowiednio zoptymalizowana, jednakże inne jednostki, które także wystąpiły w podobnych warunkach, poradziły sobie zauważalnie lepiej (MediaTek Dimensity 8300 w nadchodzącym Redmi K70 - analogicznie 1512 oraz 4886 punktów).

Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3 - debiut układu w benchmarku Geekbench. Jednostka rozczarowuje swoją wydajnością [2]

Qualcomm Snapdragon 7s Gen 2 - nowy układ SoC o dosyć rozczarowującej specyfikacji

Sam Qualcomm zaznaczał, że omawiana jednostka będzie wydajniejsza od pierwszej generacji o blisko 15% (w benchmarku Geekbench pod kątem wydajności jednego rdzenia). Natomiast w przypadku wariantu Snapdragon 7 Gen 1 mamy do czynienia z wynikami odpowiednio 1119 oraz 3261 punktów, tak więc do obiecanych 15% jeszcze bardzo daleka droga. Nic dziwnego, że producent nie porównywał układu do Snapdragona 7+ Gen 2, ponieważ ten zostawia naszego bohatera daleko w tyle (1687 i 4378 punktów). Już samo nazewnictwo mocno wprowadza w błąd nieświadomych klientów, szczególnie biorąc pod uwagę, że nie mamy do czynienia z niemal żadnym wzrostem wydajności.

Geekbench 6.2.0 Single-Core Multi-Core
Qualcomm Snapdragon 7 Gen 1 1119 3261
Qualcomm Snapdragon 7s Gen 2 1011 2942
Qualcomm Snapdragon 7+ Gen 2 1687 4378
Qualcomm Snapdragon 7 Gen 3 1139 3375
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 1 1661 3975

Źródło: Geekbench
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 8

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.