Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Intel 18A-P bez skoku gęstości, ale z wyraźną poprawą parametrów. Fabryka dostaje ważniejszy argument niż sama litografia

Maciej Lewczuk | 30-04-2026 14:30 |

Intel 18A-P bez skoku gęstości, ale z wyraźną poprawą parametrów. Fabryka dostaje ważniejszy argument niż sama litografiaIntel znów wraca do 18A, ale tym razem nie chodzi o sam debiut tranzystorów RibbonFET i zasilania PowerVia. Na horyzoncie pojawił się Intel 18A-P, czyli wariant, który nie obiecuje nowej klasy gęstości, tylko bardziej dojrzałe parametry tam, gdzie projektanci układów naprawdę patrzą, czyli w poborze mocy, zachowaniu bibliotek i przewidywalności procesu. To ruch mniej widowiskowy niż pełny skok generacji, ale potencjalnie ważniejszy dla klientów fabryki.

Intel 18A-P poprawia to, co dla klientów fabryki liczy się najbardziej, czyli przewidywalność, sprawność i łatwą drogę od projektu do gotowego układu.

Intel 18A-P bez skoku gęstości, ale z wyraźną poprawą parametrów. Fabryka dostaje ważniejszy argument niż sama litografia [1]

Chiny budują superkomputer bez AMD, Intela i NVIDII. LineShine o wydajności 2 EFLOPS ma pełną niezależność sprzętową

Z opisu sesji na VLSI 2026 wynika, że Intel 18A-P oferuje względem bazowego Intel 18A ponad 18 proc. niższy pobór mocy przy tej samej wydajności albo ponad 9 proc. wyższą wydajność przy tym samym limicie mocy. Co ważne, nie mówimy o całkiem nowym węźle, lecz o dopracowanej odmianie 18A zgodnej projektowo z pierwowzorem. Intel dołożył nowe pary napięć progowych, nowe układy niskomocowe i wydajnościowe w bibliotekach HD i HP, a także obniżył opór cieplny. W materiałach konferencyjnych pojawia się też informacja, że wynik około 9 proc. wzrostu osiągnięto przy 0,75 V na standardowym podbloku rdzenia Arm oraz przy zachowaniu dopasowanego SRAM Vmin. 

Intel 18A-P bez skoku gęstości, ale z wyraźną poprawą parametrów. Fabryka dostaje ważniejszy argument niż sama litografia [2]

Dr.Semiconductor zbudował działające komórki DRAM w przydomowym cleanroomie. Ten eksperyment trudno zignorować

To istotne, bo Intel 18A już wcześniej miał być dla firmy punktem zwrotnym. Według oficjalnych materiałów Intel Foundry proces oferuje do 15 proc. lepszą wydajność na wat i do 30 proc. większą gęstość względem Intel 3, głównie dzięki połączeniu tranzystorów RibbonFET typu gate-all-around z tylnym zasilaniem PowerVia. 18A-P nie przesuwa jednak granicy gęstości, tylko poprawia elektrykę i użyteczność procesu. Dla klientów zewnętrznych to może być lepsza wiadomość niż efektowny slogan o zmniejszeniu litografii, bo łatwiej sprzedać dojrzalszy wariant istniejącej platformy niż ryzyko pełnej migracji. Podobny wątek wracał już przy okazji kolejnych zapowiedzi GAA i backside power delivery. Sama technologia to za mało, liczy się jeszcze to, czy da się ją spokojnie zamienić w produkt. 

Intel 18A-P bez skoku gęstości, ale z wyraźną poprawą parametrów. Fabryka dostaje ważniejszy argument niż sama litografia [3]

TSMC przedstawia najnowszy plan wydawniczy dla swoich litografii, uwzględniający procesy N2U, A14, A13 oraz A12

Na tle konkurencji obraz pozostaje złożony. Analizy cytowane przez Tom’s Hardware sugerują, że Intel 18A może mieć atuty wydajnościowe, ale pod względem gęstości TSMC N2 nadal wygląda mocniej. Dlatego 18A-P nie kończy wyścigu z Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, tylko zmienia jego akcenty. Dla użytkownika końcowego oznacza to tyle, że przyszłe układy mogą dostać większy margines. Czyli albo na wyższe taktowanie w tym samym budżecie energetycznym, albo na niższy pobór mocy bez kosztownego przeprojektowania całego bloku. Dla Intel Foundry stawka jest jeszcze większa, bo 18A-P ma pokazać, że firma potrafi nie tylko dogonić plan technologiczny, ale też go dopracować na poziomie, którego oczekują klienci.

Intel 18A-P bez skoku gęstości, ale z wyraźną poprawą parametrów. Fabryka dostaje ważniejszy argument niż sama litografia [4]

Źródło: VLSI Symposium 2026, Dr. Ian Cutress (X), Intel, TechPowerUp
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 0
Ten wpis nie ma jeszcze komentarzy. Zaloguj się i napisz pierwszy komentarz.
x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.