Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Samsung zaprezentował pamięć DDR5 DRAM o pojemności 32 Gb, która została wykonana w procesie technologicznym 12 nm

Łukasz Stefaniak | 01-09-2023 11:00 |

Samsung zaprezentował pamięć DDR5 DRAM o pojemności 32 Gb, która została wykonana w procesie technologicznym 12 nmPostęp w branży komputerów jest jednym z najszybszych. Choć rozwój konsumenckich układów graficznych w obecnej generacji nieco wyhamował, to inne segmenty, ze szczególnym uwzględnieniem sztucznej inteligencji, dynamicznie się rozwijają. Samsung zaprezentował właśnie najpojemniejszą na rynku, 32-gigabitową (32 Gb) pamięć DDR5, która została wykonana w procesie technologicznym 12 nm. Rozwiązanie ma być idealne do zadań powiązanych z AI.

Zaprezentowanie nowych, 32-gigabitowych, chipów pamięci, otwiera drogę do modułów o pojemności nawet 1 TB, które znajdą zastosowanie w sektorze AI. Koreańska firma wyprzedziła tym samym swoją konkurencję.

Samsung zaprezentował pamięć DDR5 DRAM o pojemności 32 Gb, która została wykonana w procesie technologicznym 12 nm [1]

Samsung Galaxy S24 Ultra jednak bez procesora Exynos 2400? Nowe informacje sugerują, że wariant skorzysta z układu Qualcomma

Do tej pory Samsung mógł pochwalić się produkcją masową chipów pamięci DDR5 o pojemności 16 Gb. Wraz z debiutem nowego rozwiązania, koreańskie przedsiębiorstwo stało się liderem w tej dziedzinie. Zaprezentowana pamięć otwiera drogę do modułów DRAM o pojemności nawet 1 TB, co jest idealną odpowiedzią na zapotrzebowanie ze strony sektora sztucznej inteligencji. Samsung zapowiada także, że na pamięci 32 Gb nie poprzestanie i ma ambicje na dłużej utrzymać pozycję lidera. Nowe chipy zostały wykonane w najnowocześniejszej technologii. Podwojenie pojemności było możliwe dzięki optymalizacji projektu i zagęszczeniu pamięci. Wszystko to przy zachowaniu dotychczasowych rozmiarów chipów.

Samsung zaprezentował pamięć DDR5 DRAM o pojemności 32 Gb, która została wykonana w procesie technologicznym 12 nm [2]

NVIDIA GeForce RTX 5000 - Samsung wysyła już do firmy pierwsze sample pamięci GDDR7 dla kart graficznych

Samsung podkreśla także, że do produkcji modułów o pojemności 128 GB, wykorzystujących nową pamięć, nie jest wymagany proces Through-Silicon Via. TSV polega na zastosowaniu wertykalnego połączenia elektrycznego, które przechodzi przez cały chip. Dzięki nowemu rozwiązaniu możliwa jest 10% redukcja zużycia energii. Stanowi ono zatem idealne rozwiązanie wszędzie tam, gdzie wymaga się wysokiej efektywności energetycznej. Produkcja masowa pamięci 32 Gb powinna ruszyć jeszcze przed końcem bieżącego roku. Warto odnotować, że jeden z największych konkurentów Samsunga w tym segmencie, czyli SK hynix, oferuje chipy pamięci o pojemności 24 Gb. Micron zaś zapowiedział premierę swojego wariantu chipów 32 Gb na pierwszą połowę 2024 roku.

Źródło: Samsung, WCCFTech
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 10

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.