SK hynix prezentuje 321-warstwowe moduły UFS 4.1. Powinny idealnie pasować do przyszłych ultracienkich smartfonów

Jak dobrze wiemy, już od kilku lat flagowe smartfony wyposażone są w pamięć masową typu UFS 4.0, która pozwala na błyskawiczne ładowanie danych oraz aplikacji. Wiele wskazuje jednak na to, że w przyszłym roku branżowi giganci będą przestawiać się na szybsze i nowocześniejsze moduły UFS 4.1. Swoje moduły zaprezentowała właśnie południowokoreańska firma SK hynix. Sprawdźmy, czym konkretnie wyróżnia się nowy rodzaj pamięci.

Lepsze parametry pracy to nie wszystko. Warto też podkreślić, że obudowa pamięci UFS 4.1 ma mieć grubość zaledwie 0,85 mm, a to oznacza, że układy te powinny być doskonałym wyborem dla przyszłych smartfonów wyróżniających się smukłą obudową.

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0

SK Hynix zapowiedziała właśnie pierwsze na świecie 321-warstwowe pamięci flash UFS 4.1 TLC NAND przeznaczone do smartfonów. W porównaniu z poprzednią generacją z 2022 r. (w której zastosowano konstrukcję 238-warstwową), nowe moduły mają zapewniać o 15% większą prędkość odczytu losowego i o 40% większą prędkość zapisu losowego. W przypadku odczytów sekwencyjnych maksymalna przepustowość ma wynosić 4,3 GB/s. Warto też podkreślić, że obudowa pamięci ma mieć grubość zaledwie 0,85 mm, a to oznacza, że układy te powinny być doskonałym wyborem dla przyszłych smartfonów wyróżniających się smukłą obudową (tzn. w stylu Samsunga Galaxy S25 Edge czy nadchodzącego iPhone'a 17 Air). 

Micron, Samsung i SK hynix przygotowują się do zakończenia produkcji pamięci DDR3 i DDR4 jeszcze w tym roku

Jak deklaruje producent, nowe pamięci UFS 4.1 są o 7% bardziej energooszczędne od poprzedniej generacji. Dodaje także, że wyższa sekwencyjna prędkość odczytu poprawi wydajność sztucznej inteligencji w urządzeniu, natomiast zwiększona losowa wydajność usprawni wykonywanie wielu zadań jednocześnie. Warto jeszcze odnotować, że nowe pamięci będą występować wyłącznie w dwóch wariantach pojemnościowych – 512 GB i 1 TB. Nie będzie więc wersji 256 ani 128 GB, co wskazuje, że nowa pamięć wyląduje wyłącznie w najdroższych smartfonach na rynku. Firma SK Hynix twierdzi, że spodziewa się zdobyć zamówienia od producentów smartfonów jeszcze w tym roku i rozpocząć masowe dostawy w ciągu pierwszych trzech miesięcy przyszłego roku.