GIGABYTE bije rekord prędkości pamięci RAM DDR5 - ekstremalny overclocking ciekłym azotem ponownie zdaje egzamin
Ostatnimi czasy, wraz z pojawieniem się nowych możliwości na rynku, overclockerzy faktycznie wyciskają ostatnie soki z pamięci RAM DDR5. Omawiany przypadek związany jest z ekipą z GIGABYTE, którzy byli w stanie przełamać rekord odnotowany wcześniej na płycie głównej ASUS ROG Z790 APEX. Osiągnięty sukces z pewnością sprawia, że docieramy już do górnej granicy, jeżeli chodzi o możliwości w standardzie DDR5.
HiCookie z Tajwanu, wewnętrzny overclocker GIGABYTE, ustanowił nowy rekord prędkości pamięci DDR5 poprzez zastosowanie do chłodzenia ciekłego azotu, podbijając prędkość pojedynczego modułu do 11136 MHz.
Micron ujawnia nowe moduły DDR5 o nietypowej pojemności, przeznaczone na rynek komputerów osobistych
Uznany ekspert od overclockingu użył do tego płyty głównej GIGABYTE Z790 AORUS Tachyon. Cechuje się ona konstrukcją dual-DIMM, została także stworzona z myślą o wytrzymywaniu ekstremalnych obciążeń. Wspierał ją procesor Intel Core i9-13900K Raptor Lake CPU, jednak kluczowa w tym wszystkim była pamięć. A konkretnie chodziło o moduły AORUS DDR5-8333 z numerem seryjnym "ARS32G83D5". Jeśli chodzi o zestawy pamięci, trudno obecnie znaleźć lepsze partie na obecnym rynku. Przejdźmy zatem do właściwego procesu.
Standard pamięci RAM w formacie SO-DIMM może finalnie zostać porzucony na rzecz CAMM, na co wskazuje JEDEC
Siłą rzeczy efekt został osiągnięty dzięki użyciu ciekłego azotu, co podkręciło pojedynczy moduł pamięci do efektywnej częstotliwości 11136 MHz (zegar: 5567,5 MHz). Przepustowość wyniosła tym samym 11 Gb/s z opóźnieniami CAS ustawionymi na CL64-127-127-127-127-2. Choć nie określono, czy zostało użyte fabryczne napięcie, raczej można założyć, że pamięć została nieco podniesiona. Tak czy siak to duże osiągnięcie dla firmy GIGABYTE, które przy okazji ustawia nas nieco bliżej granicy prędkości DDR5-12600 dla standardu DDR5. Pełna walidacja - przedstawiona wstępnie na screenshotach w newsie - dostępna jest kolejno na stronach HWBOT i CPU-Z.
Powiązane publikacje

Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6
Pamięć ULTRARAM ma zielone światło. Partner QUINAS Technology opracował metodę, która otwiera furtkę do masowej produkcji
30