Nośniki SSD Samsunga o pojemności 1 petabajta coraz bliżej. Wszystko dzięki badaniom nad ferroelektrycznymi materiałami

Dużo wskazuje na to, że nośniki o pojemności 1 PB (petabajt = 1000 terabajtów) są bliżej, niż mogło nam się wydawać. Jeszcze więcej wskazuje na to, że jako pierwszy wprowadzi je do produkcji Samsung. To przedsiębiorstwo już teraz masowo produkuje pamięci V-NAND 9. generacji, które składają się z 290 warstw. Natomiast już niebawem może zaprezentować pamięci, które będą się opierać na materiałach wykazujących właściwości ferroelektryczne.

Jeszcze w czerwcu 2024 roku naukowcy zaprezentują analizę materiałów Hafnia Ferroelectrics. W głównej mierze mają one pomóc w produkowaniu mniejszych i bardziej efektywnych pamięci QLC 3D V-NAND, które będą się składać z ponad tysiąca warstw.

Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci V-NAND dziewiątej generacji. Rozwiązanie ma kilka istotnych zalet

Omawiana prezentacja zostanie przedstawiona przez Kima Giuka, który jest studentem na uniwersytecie badawczym KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology), na konferencji VLSI Symposium. Odbędzie się ona 18 czerwca 2024 roku, natomiast ważne jest to, że jednym ze współtwórców całej pracy jest Samsung Electronics — choć nie sprecyzowano, jaką rolę w niej pełni. Głównym tematem jest szczegółowa analiza Hafnia Electronics jako materiałów, które mają posunąć pamięci QLC 3D V-NAND bardzo do przodu. Chodzi bowiem o demonstrację, która uwzględnia pamięci składające się z ponad tysiąca warstw, kiedy aktualnie Samsung dysponuje 10. generacją pamięci V-NAND o 430 warstwach.

Samsung przygotowuje się do debiutu pamięci QLC NAND flash o największym zagęszczeniu komórek w branży

Dokładniej mowa o materiałach, które są ferroelektryczne, a ich głównym składnikiem jest tlenek hafnu (HfO2), który często nazywa się hafnią (od łacińskiej nazwy miejscowości, w której został odkryty hafn). Mogą one utrzymywać stałą polaryzację elektryczną, czyli innymi słowy, posiadają ładunek elektryczny, który jest obecny bez zewnętrznego pola elektrycznego. W przypadku pamięci ta "technologia" może się okazać faktycznie bardzo przydatna, szczególnie że ma pozwolić na naprawdę gwałtowny rozwój standardu 3D V-NAND. Oczywiście do prezentacji pozostało jeszcze trochę czasu, więc aby poznać większość szczegółów wymagane będzie zapoznanie się z całością w czerwcu. Natomiast można zakładać, że to właśnie Samsung jako pierwszy wykorzysta nowe badania i zaprojektuje nośniki o rekordowej pojemności 1 PB - choć warto zaznaczyć, że zapewne potrwa to jeszcze kilka lat. Można jednak dodać, że w marcu 2023 roku Samsung oczekiwał, że pierwszy nośnik SSD o podanej pojemności pojawi się dopiero za dekadę. Natomiast okazuje się, że może to nastąpić dużo szybciej, niż zakładano.