Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci V-NAND dziewiątej generacji. Rozwiązanie ma kilka istotnych zalet

Samsung jest jednym z liderów na rynku pamięci NAND flash. Choć koreańska firma nie ma w swojej ofercie ciągle nośników SSD, które w pełni wykorzystywałyby złącze PCIe 5.0, to wydaje się, że jest to wyłącznie kwestia czasu. Krokiem naprzód będzie z pewnością rozpoczęcie masowej produkcji pamięci V-NAND dziewiątej generacji, która zaoferuje szereg zauważalnych ulepszeń w porównaniu do dostępnych dotychczas rozwiązań.

Samsung poinformował o starcie masowej produkcji pamięci V-NAND dziewiątej generacji. Nowe rozwiązanie ma stać się bazą między innymi dla nośników SSD działających w oparciu o złącze PCIe 5.0.

Samsung ogłasza produkcję pamięci RAM LPDDR5X o efektywnej szybkości 10.7 Gbps i jeszcze większej pojemności

Pamięć V-NAND dziewiątej generacji oferuje około 50% wyższe zagęszczenie bitów niż V-NAND ósmej generacji. Samsungowi udało się też wydłużyć cykl życia komórek i zwiększyć ich odporność na zakłócenia. Nowe rozwiązanie wykorzystuje ponadto technologię "wytrawiania otworów kanałowych" (channel hole etching). Polega ona na tworzeniu ścieżek dla elektronów poprzez nakładanie odpowiednich warstw formujących. Pozwala to zmaksymalizować produktywność procesu wytwarzania pamięci.

Samsung zmienia nazwę dla swojego procesu technologicznego 3 nm. Sugeruje tym samym, że jest to proces 2 nm

Najnowsza generacja V-NAND od Samsunga bazuje na interfejsie Toggle 5.1, który pozwala uzyskać o 33% wyższą liczbę operacji wejścia i wyjścia niż poprzednie rozwiązania. Chipy pamięci tego typu zaoferują szybkość transferu danych sięgającą 3,2 Gb/s. Wszystko to przy lepszej efektywności energetycznej. Jak podaje koreańska firma, można liczyć na 10% poprawę w tym aspekcie, choć wartość ta dotyczy urządzeń zaprojektowanych specjalnie z myślą o niskim poborze mocy. Masowa produkcja pamięci TLC V-NAND dziewiątej generacji o pojemności 1 Tb już ruszyła. Produkcja pamięci QLC tego typu wystartuje w drugiej połowie bieżącego roku.