NEO Semiconductor pokazało 3D X-DRAM. To nie jest jeszcze pogromca HBM, ale pierwsze testy wyglądają ciekawie

Rynek pamięci dla akceleratorów związanych ze sztuczną inteligencją zaczyna przypominać wyścig zbrojeń, w którym jedynie moc GPU przestała wystarczać. Gdy producenci śrubują kolejne generacje HBM, obok głównego nurtu rosną projekty próbujące obejść jego koszty, osiągane temperatury i złożone pakowanie. Jednym z nich jest 3D X-DRAM firmy NEO Semiconductor, które właśnie zaliczyło ważny, choć wciąż wczesny test.

NEO Semiconductor 3D X-DRAM wygląda jak sensowny skrót do gęstszej pamięci dla AI, ale od obiecującego układu testowego do realnego zamiennika HBM droga nadal jest jeszcze bardzo długa.

JEDEC ogłasza plany na dalszy rozwój standardu LPDDR6. Większa pojemność, dodanie układów logiki i integracja z SOCAMM2

Najciekawsze w tym projekcie nie jest hasło stworzenia zamiennika pamięci HBM, tylko w sposobie dojścia do celu. NEO Semiconductor nie układa gotowych kości DRAM jedna na drugiej, jak robi to HBM, lecz chce budować pamięć w strukturze przypominającej 3D NAND. Nowsze warianty komórek 1T1C i 3T0C, rozwijane z użyciem kanału IGZO, mają pozwolić na uzyskanie większej gęstości bez dokładania równie skomplikowanego pakowania. Pokazany układ POC ma według firmy osiągać opóźnienia odczytu i zapisu poniżej 10 ns, retencję danych ponad 1 s w 85 st. C, a także wytrzymałość przekraczającą 10^14 cykli. To już nie wygląda jak symulacja, ale nadal trzeba oddzielić wyniki z próbki od ambitnych slajdów o 512 Gb i nawet 10-krotnie większej gęstości, bo tych parametrów nie udowodniono jeszcze w gotowym, wielowarstwowym produkcie.

Samsung 10a DRAM są coraz bliżej. 4F2, IGZO i hybrydowe łączenie wafli zmieniają projekt pamięci

Dla rynku serwerów AI stawka jest spora, gdyż jeśli 3D X-DRAM faktycznie da się wytwarzać na bazie dojrzałych procesów 3D NAND, branża dostałaby pamięć tańszą i łatwiejszą do skalowania niż HBM. Problem w tym, że konkurencja nie stoi w miejscu. Jak pisaliśmy już przy okazji planów HBM4-HBM8, klasyczne HBM ma gotową mapę drogową przepustowości, a Intel razem z Saimemory pokazał ZAM, czyli bardziej zachowawczą próbę poprawy termiki i gęstości bez wywracania całej architektury DRAM. NEO Semiconductor ma więc ciekawy pomysł i świeży dowód, że nie skończyło się na renderach. Na razie to jeszcze nie nowy standard, tylko kandydat, którego branża będzie uważnie obserwować.