Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0
Amerykańskie przedsiębiorstwo Micron Technology ogłosiło właśnie koniec pracy nad udoskonalonymi pamięciami typu UFS 4.0, które oparte są o rozwiązanie znane z ich 232-warstwowej pamięci 3D NAND. Próbki są dostępne dla innych firm i Micron zapewnia, że są one już w drodze do wybranych przedstawicieli. Niebawem w urządzeniach mobilnych zobaczymy wdrożone rozwiązanie, które zaoferuje spory skok wydajności i pojemności rzędu 1 TB. Jest więc na co czekać.
Przedsiębiorstwo Micron wprowadza na rynek pamięci UFS 4.0, które są oparte o autorską technologię znaną z ich 232-warstwowych pamięci 3D NAND. Ulepszona pamięć ma być dostępna w nadchodzących flagowcach.
Micron ujawnia nowe moduły DDR5 o nietypowej pojemności, przeznaczone na rynek komputerów osobistych
Standard UFS (Universal Flash Storage) określający specyfikację pamięci flash, jest całkiem wydajnym rozwiązaniem przeznaczonym dla urządzeń mobilnych, które mają ograniczony pobór mocy. Jego numeracja określa rzecz jasna generację - obecnie jest nią 4.0 i możemy się z nią spotkać choćby w smartfonie Samsung Galaxy S23 Ultra. Omawiane pamięci od Microna dzięki zastosowanej technologii i swojej strukturze, są dużo pojemniejsze, a przy tym pobierają mniej energii (o 25% w porównaniu do poprzedniej generacji, czyli UFS 3.0). Jednak ich kartą przetargową są uzyskiwane prędkości zapisu i odczytu sekwencyjnego - w tej kwestii wypadają lepiej od całkiem nowych pamięci Samsunga (Gen 7 V-NAND, 176-warstw).
SK hynix rozpoczęło masową produkcję pamięci NAND flash o rekordowej liczbie warstw
Nowa pamięć NAND od Microna z komórkami trójpoziomowymi (TLC) oparta na wspomnianym wcześniej rozwiązaniu jest zdolna do odczytu sekwencyjnego na poziomie 4300 MB/s oraz zapisu sekwencyjnego aż do 4000 MB/s. Deklasuje to Samsunga, którego pamięć napomknięto chwilę temu - analogicznie odczyt sekwencyjny wynosi tu 4200 MB/s, z kolei zapis do 2800 MB/s. To rozwiązanie ma wpłynąć nie tylka na ogólną wydajność urządzeń mobilnych, ale i zmniejszyć ich zapotrzebowanie na energię. Pamięci te przeznaczone dla flagowych sprzętów będą dostępne w wariantach 256 GB, 512 GB oraz 1 TB. Jako przykład prędkości posłużono się pobieraniem streamowanego materiału 4K o długości 2 godzin, gdzie w tym wypadku zajmie to mniej niż 15 sekund, czyli dwukrotnie szybciej od generacji niżej (oczywiście w grę wchodzi tu również łącze internetowe). Pozostaje więc oczekiwać pierwszych urządzeń z rozwiązaniem od Microna.
Powiązane publikacje

Toshiba wprowadza dyski twarde o pojemności 24 TB dla systemów NAS. Nowe modele N300 i N300 Pro zaprojektowano do pracy 24/7
66
Z dysku twardego zrobił szlifierkę. Ciekawy projekt DIY pokazuje, że stary dysk twardy może dostać drugie życie
26
Synology blokuje funkcje w nowych NAS-ach. Użytkownicy tracą wsparcie, jeśli nie użyją dysków z logo producenta
46
PNY prezentuje karty microSD z serii PRO Elite High Endurance. Zwiększona trwałość i nawet 512 GB pojemności
27