SK hynix rozpoczęło masową produkcję pamięci NAND flash o rekordowej liczbie warstw

Firmy technologiczne mają imponujące plany dotyczące rozwoju nośników SSD. W stosunkowo niedalekiej przyszłości możemy spodziewać się znaczącego postępu w zakresie pojemności tego typu rozwiązań. Towarzyszyć powinien temu także wzrost wydajności, który będzie możliwy dzięki rozwojowi urządzeń korzystających z magistrali PCIe 5.0. SK hynix zapowiedziało rozpoczęcie masowej produkcji pamięci 4D NAND flash o imponującej liczbie warstw.

SK hynix rozpoczęło masową produkcję 238-warstwowej pamięci 4D NAND flash (odmiana 3D NAND). Nowe rozwiązanie cechuje się szybkością transferu danych na poziomie 2,4 Gb/s, co ma pozwolić na uwolnienie pełnego potencjału nośników SSD korzystających z magistrali PCIe 5.0.

SK hynix przygotowuje się do produkcji nowej pamięci HBM3E. Zaletą rozwiązania jest szybszy transfer danych

Najnowsze rozwiązanie to w praktyce odmiana pamięci 3D NAND, która trafi do najlepszych nośników SSD działających w oparciu o magistralę PCIe 5.0. Charakteryzuje się 238-warstwami. Aktualnie w produkcji masowej nie ma pamięci, która posiadałyby ich większą liczbę. Na tym jednak zalety nowego rozwiązania się nie kończą. Oferuje ono bowiem transfer danych na poziomie 2,4 Gb/s, co jest wartością o 50% lepszą od pamięci poprzedniej generacji. Z pewnością cechy te przyczynią się docelowo do zwiększenia popularności najszybszych nośników SSD. Szybkość transferu danych pamięci 3D NAND poprzedniej generacji jest aktualnie czynnikiem znacząco ograniczającym potencjał magistrali PCIe 5.0.

SK hynix może sprzedać budowaną fabrykę pamięci 3D NAND w Chinach. Przyczyną niepewna sytuacja rynkowa

238-warstwowe rozwiązanie SK hynix charakteryzuje się także o 34% wyższą efektywnością produkcyjną w porównaniu do pamięci 176-wastwowej. Pozwala to na zaoferowanie klientom firmy komponentów o lepszej konkurencyjności cenowej. Ma to przełożyć się także na korzystniejszą efektywność energetyczną. Pobór mocy podczas odczytu danych będzie lepszy o 21%, co ma duże znaczenie zwłaszcza w przypadku urządzeń mobilnych. Pamięć trafi docelowo zarówno do nośników SSD (PC-towych oraz serwerowych), jak i smartfonów. Firma SK hynix zdecydowała się na określenie 4D NAND flash z powodu dwóch rozwiązań technologicznych: CTF (Charge Trap Flash) i PUC (Peripheral Under Cell). Pozwala to na zmniejszenie rozmiarów pamięci i prowadzi do zmniejszenia kosztów jej produkcji.