Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

SK hynix przygotowuje się do produkcji nowej pamięci HBM3E. Zaletą rozwiązania jest szybszy transfer danych

Łukasz Stefaniak | 01-06-2023 14:00 |

SK hynix przygotowuje się do produkcji nowej pamięci HBM3E. Zaletą rozwiązania jest szybszy transfer danychPamięć typu HBM3 znajduje zastosowanie przede wszystkim w zadaniach związanych ze sztuczną inteligencją. Zapotrzebowanie na tego typu sprzęt wzrasta i nieustannie dokonuje się postęp, dzięki któremu do odbiorców trafią coraz wydajniejsze rozwiązania sprzętowe. Przed pojawieniem się HBM4, SK hynix planuje dostarczyć na rynek pamięć HBM3E, która zaoferuje znaczący wzrost wydajności w porównaniu do swojego starszego odpowiednika.

SK hynix przygotowuje się do uruchomienia produkcji pamięci HBM3E. Wśród zalet rozwiązania jest szybszy o około 25% transfer danych w porównaniu z jej starszym odpowiednikiem, czyli HBM3.

SK hynix przygotowuje się do produkcji nowej pamięci HBM3E. Zaletą rozwiązania jest szybszy transfer danych [1]

SK hynix dostarcza już próbki pamięci HBM3 z 12-warstwowymi stosami. Można liczyć na znaczący wzrost pojemności

Koreańskie przedsiębiorstwo ogłosiło, że ulepszona wersja HBM3 będzie charakteryzowała się o 25% lepszym transferem danych. Ma on wzrosnąć z 6,4 GT/s do 8,0 GT/s. Powinno to przełożyć się na wzrost przepustowości każdego stosu z 819,2 GB/s do 1 TB/s. Nie wiadomo niestety na tym etapie, jak będzie przedstawiała się kwestia kompatybilności rozwiązania z obecnymi kontrolerami, ponieważ SK hynix nie zdradziło póki co szczegółów dotyczących pamięci HBM3E.

SK hynix przygotowuje się do produkcji nowej pamięci HBM3E. Zaletą rozwiązania jest szybszy transfer danych [2]

SK hynix może sprzedać budowaną fabrykę pamięci 3D NAND w Chinach. Przyczyną niepewna sytuacja rynkowa

Do produkcji zostanie wykorzystany proces technologiczny 1bnm, który jest w istocie litografią 10 nm, przeznaczoną bezpośrednio do wytwarzania pamięci DRAM. Obecnie wykorzystuje się go już do produkcji modułów DDR5-6400 certyfikowanych pod platformę Intel Xeon Scalable kolejnej generacji. Pierwsze próbki HBM3E trafią do odbiorców w drugiej połowie 2023 roku, a masowa produkcja i oficjalny debiut rynkowy przewidziane są na przyszły rok. Z racji rosnącego zapotrzebowania na moc obliczeniową systemów wykorzystywanych do rozwoju sztucznej inteligencji, nie są spodziewane żadne problemy z popytem na nową pamięć.

Źródło: Tom's Hardware, VideoCardz
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 20

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.