SK hynix przygotowuje się do produkcji nowej pamięci HBM3E. Zaletą rozwiązania jest szybszy transfer danych

Pamięć typu HBM3 znajduje zastosowanie przede wszystkim w zadaniach związanych ze sztuczną inteligencją. Zapotrzebowanie na tego typu sprzęt wzrasta i nieustannie dokonuje się postęp, dzięki któremu do odbiorców trafią coraz wydajniejsze rozwiązania sprzętowe. Przed pojawieniem się HBM4, SK hynix planuje dostarczyć na rynek pamięć HBM3E, która zaoferuje znaczący wzrost wydajności w porównaniu do swojego starszego odpowiednika.

SK hynix przygotowuje się do uruchomienia produkcji pamięci HBM3E. Wśród zalet rozwiązania jest szybszy o około 25% transfer danych w porównaniu z jej starszym odpowiednikiem, czyli HBM3.

SK hynix dostarcza już próbki pamięci HBM3 z 12-warstwowymi stosami. Można liczyć na znaczący wzrost pojemności

Koreańskie przedsiębiorstwo ogłosiło, że ulepszona wersja HBM3 będzie charakteryzowała się o 25% lepszym transferem danych. Ma on wzrosnąć z 6,4 GT/s do 8,0 GT/s. Powinno to przełożyć się na wzrost przepustowości każdego stosu z 819,2 GB/s do 1 TB/s. Nie wiadomo niestety na tym etapie, jak będzie przedstawiała się kwestia kompatybilności rozwiązania z obecnymi kontrolerami, ponieważ SK hynix nie zdradziło póki co szczegółów dotyczących pamięci HBM3E.

SK hynix może sprzedać budowaną fabrykę pamięci 3D NAND w Chinach. Przyczyną niepewna sytuacja rynkowa

Do produkcji zostanie wykorzystany proces technologiczny 1bnm, który jest w istocie litografią 10 nm, przeznaczoną bezpośrednio do wytwarzania pamięci DRAM. Obecnie wykorzystuje się go już do produkcji modułów DDR5-6400 certyfikowanych pod platformę Intel Xeon Scalable kolejnej generacji. Pierwsze próbki HBM3E trafią do odbiorców w drugiej połowie 2023 roku, a masowa produkcja i oficjalny debiut rynkowy przewidziane są na przyszły rok. Z racji rosnącego zapotrzebowania na moc obliczeniową systemów wykorzystywanych do rozwoju sztucznej inteligencji, nie są spodziewane żadne problemy z popytem na nową pamięć.