SK hynix dostarcza już próbki pamięci HBM3 z 12-warstwowymi stosami. Można liczyć na znaczący wzrost pojemności

Zapotrzebowanie na coraz pojemniejsze rodzaje pamięci nieustannie rośnie. Jednym z liderów jej produkcji jest firma SK hynix. Standard HBM3 jest wykorzystywany tam, gdzie sytuacja wymaga przetwarzania olbrzymich ilości danych w stosunkowo krótkim czasie. Koreańskie przedsiębiorstwo rozwija nieustannie ten typ pamięci. Na rynek wkrótce trafią produkty bazujące na 12-warstwowej konstrukcji stosów, co pozytywnie wpłynie na dostępną pojemność.

SK hynix rozsyła próbki pamięci HBM3 z 12-warstwowymi stosami. Pozwala to zwiększyć jej pojemność o 50%, czyli do wartości 24 GB. Sprzęt z tym rodzajem chipów ma trafić na rynek jeszcze w tym roku.

SK hynix prezentuje pamięci LPDDR5T, najszybsze obecnie mobilne pamięci DRAM oznaczone dopiskiem Turbo

Firma SK hynix ogłosiła dostarczenie do klientów próbek zaawansowanej odmiany pamięci HBM3. Cechą charakterystyczną jest wprowadzenie 12-warstwowych stosów, co pozwala na zwiększenie pojemności pamięci kostki do nawet 24 GB. Jest to wzrost o 50% w porównaniu ze stosami ośmiowarstwowymi, co przekładało się na pojemność 16 GB. Nowe rozwiązanie znajdzie zapewne zastosowanie między innymi w produktach NVIDII i AMD. Sprzęt z tą wersją pamięci ma trafić na rynek już w drugiej połowie bieżącego roku. Jego głównym zastosowaniem będą zapewne urządzenia napędzające sztuczną inteligencję.

SK hynix z sukcesem rozpoczął produkcję pamięci DRAM typu HBM3 z przepustowością rzędu 819 GB/s na stos

Dzięki zastosowaniu technologii MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) udało się zwiększyć efektywność procesu produkcyjnego oraz osiągnąć stabilniejszą wydajność pamięci. MR-MUF pozwala na umieszczenie wielu chipów na dolnym podłożu i połączenie ich za pomocą odpowiedniej techniki lutowania, przy jednoczesnym wypełnianiu luki pomiędzy nimi materiałem formującym. Z kolei technologia TSV (Through Silicon Via) zmniejszyła grubość układu DRAM o 40%. TSV polega na łączeniu górnych i dolnych chipów za pośrednictwem elektrody, która pionowo przechodzi przez tysiące drobnych otworów znajdujących się w pamięci.