SK hynix z sukcesem rozpoczął produkcję pamięci DRAM typu HBM3 z przepustowością rzędu 819 GB/s na stos

SK hynix jest obecnie jednym z największych producentów pamięci DRAM oraz drugim, obok Samsunga, który produkuje także moduły HBM odznaczające się dużo większą przepustowością w porównaniu do zwykłych pamięci DDR/GDDR. Południowokoreańskie przedsiębiorstwo już kilka miesięcy temu ujawniło wstępne plany dotyczące produkcji nowej generacji pamięci DRAM o wysokiej przepustowości - HBM3. Wówczas jednak producenta nie podawał do wiadomości wszystkich szczegółów dotyczących specyfikacji technicznej. Dzisiaj SK hynix w końcu potwierdził sukces w produkcji pamięci HBM3, jednocześnie ujawniając najważniejsze informacje dotyczące parametrów działania. Spodziewamy się, że HBM3 trafi do profesjonalnych akceleratorów nowej generacji, w tym układów NVIDIA Hopper oraz AMD CDNA 3.

Firma SK hynix poinformowała o rozpoczęciu produkcji pamięci DRAM typu HBM3. W porównaniu do HBM2e, nowy typ pamięci ma odznaczać się dużo większą przepustowością, sięgającą aż 819 GB/s na każdy stos.

Rambus zdradza kolejne szczegóły o pamięciach HBM3. Nadciąga przełom na rynku akceleratorów graficznych?

W porównaniu do pamięci HBM2 oraz HBM2e, nowy typ modułów HBM3 (High Bandwidth Memory 3) ma odznaczać się zauważalnie wyższymi prędkościami transferu oraz bardziej dopracowanymi technikami z zakresu termiki. Nowy standard pamięci HBM3 ma nie tylko poprawić przepustowość, ale znacząco także powiększyć ogólną pojemność DRAM poprzez pionowe układanie układów DRAM w stosy. SK hynix ujawnił, iż pamięć typu HBM3 będzie oferowana w dwóch pojemnościach: 24 GB oraz 16 GB. Wariant 24 GB to największa pojemność dla tego typu pamięci, jaką wprowadzono dotychczas w branży, a do jej przygotowania wykorzystano łącznie 12 stosów po 2 GB każdy. W przypadku wariantu 16 GB, do produkcji użyto 8 stosów po 2 GB każdy. Do łączenia stosów posłużono się połączeniami typu TSV (Through Silicon Via), które łączą górny oraz dolny stos za pomocą elektrody, która pionowo przechodzi przez tysiące drobnych otworów na chipach DRAM

Micron prezentuje nowy proces technologiczny 1α, który powinien doprowadzić do niższych cen pamięci DRAM

Jak z pewnością pamiętacie, jeszcze w czerwcu SK hynix zapowiadał, że przepustowość pojedynczego stosu pamięci HBM3 osiągnie poziom nie mniejszy niż 665 GB/s. Finalnie firmie udało się przygotować znacznie szybszy moduł, którego przepustowość osiąga poziom 819 GB/s. Dla porównania pojedynczy stos HBM2e osiąga przepustowość rzędu 460 GB/s. Parametr ten został zatem zwiększony aż o 78% względem poprzedniej generacji, tym samym czyniąc HBM3 najszybszym typem pamięci DRAM, jaki kiedykolwiek wytworzono. Wykorzystując przykładowo 6 modułów HBM3 (tyle obecnie wykorzystuje choćby NVIDIA w układzie A100) o pojemności 24 GB, profesjonalny układ graficzny może zaoferować nawet 144 GB pamięci o łącznej przepustowości prawie 5.0 TB/s. Możemy się spodziewać, że nowy typ pamięci HBM3 zostanie wykorzystany do przyszłych akceleratorów takich firm jak NVIDIA, AMD czy Intel.