SK hynix podpisało ważną umowę ramową z TSMC na potrzeby badań i produkcji pamięci HBM4

Pamięć HBM, choć wcześniej stosowana była również w konsumenckich układach, obecnie stanowi główny typ pamięć VRAM dla układów profesjonalnych oraz chipów wykorzystywanych w sztucznej inteligencji. Sk hynix ogłosiło, że podpisało kluczową umowę badawczo-rozwojową z tajwańskim TSMC. Ta współpraca ma na celu wprowadzenie licznych ulepszeń w produkcji stosów pamięci HBM4, co m.in. ma przyczynić się do poprawy ich parametrów końcowych.

SK hynix ogłosiło, że podpisało porozumienie badawczo-rozwojowe z TSMC w celu współpracy nad produkcją pamięci HBM4 oraz poprawy integracji logiki i zaawansowanej technologii pakowania chipów.

SK hynix planuje wybudować nowy ośrodek produkcyjny w Stanach Zjednoczonych. Zajmie się on pakowaniem pamięci HBM

SK hynix ogłosiło, że podpisało porozumienie badawczo-rozwojowe z TSMC w celu współpracy nad produkcją pamięci HBM4. Szósta generacja pamięci VRAM z rodziny HBM, czyli HBM4, ma być masowo produkowana od 2026 roku dzięki tej inicjatywie. Umowa między firmami ma na celu poprawę integracji logiki oraz zaawansowanej technologii pakowania chipów. Obie firmy początkowo skoncentrują się na poprawie wydajności i efektywności energetycznej podstawowego układu, który znajduje się na samym dole pakietu HBM. Chodzi tutaj o matryce podstawowe, które łączą rdzeń GPU z pamięcią VRAM tego typu. SK hynix zamierza między innymi zmniejszyć fizyczne rozmiary tego elementu.

Firma SK hynix również zaprezentowała pamięć GDDR7 na GTC 2024 o gęstości do 24 Gb oraz szybkości do 40 Gbps

Na chwilę obecną nie jest znany proces technologiczny, jaki zostanie użyty przez TSMC. Justin Kim, prezes SK hynix odpowiedzialny za dział AI, oraz Dr. Kevin Zhang, wiceprezes senior ds. rozwoju biznesu i operacji zagranicznych w TSMC, nie kryją jednak, że nowa iteracja pamięci HBM jest przeznaczona głównie do układów obliczeniowych dla sztucznej inteligencji. HBM4 ma przynieść podwojenie interfejsu pamięci z 1024-bitowego na 2048-bitowy, co może oznaczać także podwojenie prędkości transferu danych. Może to przynieść wymierne oszczędności, pozwalając na osiągnięcie tej samej przepustowości przy mniejszej liczbie kości pamięci lub podwojenie wydajności przy użyciu tej samej liczby kości pamięci VRAM.