Quinas otrzyma 1,1 mln funtów rządowego dofinansowania na rozpoczęcie masowej produkcji nowej pamięci ULTRARAM

W dniu 7 stycznia 2024 roku rząd Wielkiej Brytanii ogłosił wsparcie i dofinansowania dla krajowego sektora półprzewodników. Choć brytyjskie firmy i naukowcy posiadają cenną wiedzę know-how, dotychczas nie uczestniczyli aktywnie w rynku produkcji chipów. Teraz ma się to zmienić dzięki sfinansowaniu masowej produkcji nowego typu pamięci ULTRARAM. Twórcą tej innowacyjnej technologii jest Manus Hayne, naukowiec z Uniwersytetu w Lancaster i założyciel firmy Quinas.

Pamięć ULTRARAM została stworzona jako złoty środek między pamięciami Flash a RAM. Twórcą tej innowacyjnej technologii jest Manus Hayne, naukowiec z Uniwersytetu w Lancaster i założyciel firmy Quinas. Za masową produkcję nowych chipów będzie odpowiedzialna globalna firma IQE.

Neo Semiconductor przedstawia nowy projekt komórek pamięci 3D X-DRAM. Możemy otrzymać ośmiokrotnie większą pojemność

Rynek pamięci masowej i operacyjnej ciągle się rozwija, a innowacje w tych dziedzinach pojawiają się regularnie. Przykłady to nowe komórki pamięci 3D X-RAM, pamięci CAMM2 oraz prace nad integracją pamięci HBM z jednostkami obliczeniowymi. Obecnie w sieci pojawiły się informacje o kolejnym projekcie – pamięci ULTRARAM, opracowanej jako uniwersalna pamięć będąca złotym środkiem między pamięciami Flash a RAM. ULTRARAM łączy długotrwałe przechowywanie danych charakterystyczne dla pamięci masowej z szybkością, energooszczędnością i wytrzymałością pamięci operacyjnych. Jest to możliwe dzięki zmodyfikowanej konstrukcji przypominającej komórki pamięci Flash. Gdy bramka "Floating Gate" jest naładowana (co oznacza, że znajdują się w niej elektrony), otrzymujemy stan logiczny 1. Gdy bramka jest rozładowana, otrzymujemy stan logiczny 0. Za "zatrzaśnięcie" elektronów w strefie odpowiada potrójna bramka (TBRT), która bez przyłożonego napięcia 2,5 V charakteryzuje się bardzo dużym oporem elektrycznym, uniemożliwiając ucieczkę elektronów. To sprawia, że pamięć ULTRARAM jest nieulotna i może przechowywać dane przez okres ponad 1000 lat.

Samsung pracuje nad technologią, która pozwoli umieścić pamięć HBM bezpośrednio na procesorze lub układzie graficznym

Komórka pamięci ULTRARAM jest rozładowywana poprzez przyłożenie napięcia o odwrotnej polaryzacji -2,5 V. Za szybkość procesów odpowiada kwantowe zjawisko tunelowania rezonansowego. Odczyt pamięci odbywa się za pomocą pomiaru przewodności kanału bazowego. Ta metoda odczytu jest niedestrukcyjna, co oznacza, że w przeciwieństwie do pamięci DRAM, stan logiczny pamięci jest zachowywany po odczycie i nie trzeba jej ponownie zapisywać. To znacznie zmniejsza złożoność i zużycie energii przez układy pamięci. Połączenie małych napięć programowania i kasowania, krótkich czasów trwania impulsów oraz wewnętrznie niskiej pojemności komórki pamięci pozwala ULTRARAM osiągać prędkości podobne do pamięci DRAM przy energii przełączania na jednostkę powierzchni, która ma być niższa niż w przypadku jakiejkolwiek innej technologii pamięci na rynku. Za dostosowanie technologii do masowej produkcji oraz jej rozpoczęcie będzie odpowiedzialne globalne przedsiębiorstwo IQE. Do produkcji nowych kości pamięci mają zostać użyte antymonek galu i antymonek glinu, a pierwsze chipy mają powstać w zakładach w Walii, w Wielkiej Brytanii.