Micron ma rozpocząć w 2024 roku produkcję chipów pamięci DDR5 o pojemności 32 GB i HBM3 Gen 2 o pojemności 36 GB

Po wdrożeniu produkcji chipów pamięci DDR5 o pojemności 24 GB w zeszłym roku i debiucie rynkowym modułów je wykorzystujących, Micron przygotowuje się do wykonania kolejnego kroku. Już w 2024 roku ma rozpocząć się masowa produkcja chipów 32 GB. Teoretycznie otwiera to drogę do modułów o zawrotnej pojemności 1 TB, ale plany Microna nie sięgają tak daleko. Znaczącym osiągnięciem będzie także rozpoczęcie produkcji pamięci HBM3 Gen 2 o pojemności 36 GB.

Już wkrótce Micron rozpocznie produkcję chipów pamięci DDR5 o pojemności 32 GB oraz HBM3 Gen 2 o pojemności 36 GB. Rozwiązania są przeznaczone przede wszystkim do centrów danych i trenowania sztucznej inteligencji.

Micron zaprezentuje nowej generacji pamięci GDDR7 w pierwszej połowie 2024 roku

Monolityczne chipy pamięci DDR5 o pojemności 32 GB będą wykonane w procesie technologicznym Micron 1-β. Jest to najbardziej zaawansowane rozwiązanie amerykańskiego przedsiębiorstwa. Warto odnotować, że chipy 24 GB korzystają ze starszego procesu technologicznego Micron 1-α, logicznym było zatem zastosowanie nowego rozwiązania w przypadku układów o pojemności 32 GB. Na razie nie jest jasne, jakiego transferu danych można oczekiwać od nowych chipów, ale będzie on prawdopodobnie na dobrym poziomie.

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0

Plany firmy zakładają wykorzystanie nowego rozwiązania w modułach o pojemności 128 GB jeszcze w 2024 roku. W 2025 roku ma zostać zrobiony kolejny krok, czyli osiągnięcie pułapu 192 GB. 2026 rok to z kolei moduły o pojemności 256 GB. Oczywiście są to rozwiązania przeznaczone do zastosowań profesjonalnych, zwłaszcza centrów danych. Na rynku konsumenckim podobne wartości nie zostaną osiągnięte jeszcze bardzo długo, ale docelowo postęp w jednym obszarze bardzo często przekłada się na postęp w innym.

Micron może zostać wykluczony z Chin. Tamtejsze władze ostrzegają przed rzekomym zagrożeniem cyberbezpieczeństwa

Micron ogłosił także, że produkuje już pierwsze próbki pamięci 24 GB HBM3 Gen 2, składającej się z ośmiu warstw. Przepustowość całego rozwiązania przekracza 1,2 TB/s, zaś jego pinów – 9,2 Gb/s. Są to wartości około 50% lepsze w porównaniu do dostępnych obecnie pamięci HBM3. Nowe rozwiązanie cechuje się też 2,5-krotnie lepszą wydajnością w przeliczeniu na 1 W. Spodziewane jest, że pamięć HBM3 Gen 2 doprowadzi do znacznego zredukowania czasu potrzebnego do trenowania dużych modeli językowych. Plany na następny rok zakładają debiut chipów HBM3 Gen 2 o pojemności 36 GB. Układ będzie składał się w tym przypadku z 12 warstw.