dual gate

Obecny rozwój pamięci DRAM powoli zbliża się do granic możliwości, podobnie jak ma to miejsce z tranzystorami FinFET w chipach procesorowych i układach graficznych. Jak się okazuje, jedyną drogą do przebycia tej granicy może być nowa konstrukcja komórek pamięci, analogicznie do nadchodzących tranzystorów GAAFET dla CPU i GPU. Samsung od pewnego czasu pracuje nad kośćmi 3D DRAM, jednak prawdziwym przełomem może okazać się projekt Neo Semiconductor.