Samsung prezentuje pamięć typu GDDR6W dla kart graficznych, układów w notebookach i dla akceleratorów na rynek HPC/AI

Firma Samsung już od zeszłego roku zapowiadała przygotowanie szybszych kości GDDR6, a także zupełnie nowego standardu GDDR7. Dzisiaj ujawniono natomiast pierwsze szczegóły dotyczące wydajnych kości GDDR6W, które pod pewnymi względami będzie można przyrównać do kości HBM2e. Nowy standard bazujący jednak na dotychczasowej specyfikacji GDDR6 był opracowywany wspólnie z JEDEC od kilku miesięcy i teraz, gdy udało się ją sfinalizować, koreański producent postanowił zdradzić nieco więcej na temat GDDR6W.

Samsung ogłosił ulepszony standard pamięci GDDR6 o nazwie GDDR6W. Ma ona podwoić przepustowość oraz pojemność względem kości GDDR6.

Samsung ogłosił nowe informacje o specyfikacji pamięci VRAM GDDR7 dla kart graficznych - będą jeszcze szybsze niż sądzono

Jedną z najważniejszych nowości dotyczących standardu GDDR6W jest technologia pakowania o nazwie Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP). Umożliwia ona produkowanie dwuwarstwowych kostek pamięci. Jak tego dokonano? Samsung w przypadku dotychczasowych kości GDDR6 wykorzystywał klasyczną płytkę PCB, z kolei w nowych kościach GDDR6W (choć bazujących w dalszym ciągu na GDDR6) pamięć umieszczono bezpośrednio na waflu krzemowym. Z kolei dzięki technologii RDL (re-distribution layer), producent łączy dwie warstwy pamięci, zwiększając w ten sposób pojemność i przepustowość. Samsung dodatkowo chwali się, że dzięki wykorzystaniu w produkcji kości GDDR6W technologii FOWLP możliwe jest wykorzystanie tych samych procesorów produkcyjnych, które dotychczas były używane z myślą o montażu kości GDDR6. Jest to związane po prostu z tym, że rozmiar kostek GDDR6W jest taki sam jak w przypadku zwykłych GDDR6. Jednocześnie jednak są one cieńsze o 36% - wysokość kostki GDDR6W sięga raptem 0,7 mm, podczas gdy dla zwykłych GDDR6 było to 1,1 mm. Zmniejszenie grubości jest z kolei ściśle powiązane z usunięciem płytki PCB, co docelowo ma również poprawić odprowadzanie ciepła.

Samsung ogłasza produkcję pamięci GDDR6 o przepustowości sięgającej 24 Gbps. VRAM dla nowych kart graficznych

Połączenie dwóch warstw pamięci poskutkowało podwojeniem przepustowości jak również samej pojemności, dzięki czemu można wykorzystać mniejszą liczbę kostek by otrzymać taką samą ilość pamięci co dotychczas (pojemność wzrasta z 16 Gb do 32 Gb). Przepustowość GDDR6W również robi wrażenie, ponieważ ma ona osiągać wynik 1,4 TB/s, a więc niewiele mniej od kości HBM2e, których przepustowość dochodzi do 1,6 TB/s. Wprowadzenie cieńszych kostek VRAM sprawdzi się m.in. w kartach graficznych, notebooków oraz na rynek HPC. Standaryzacja pamięci GDDR6W dla JEDEC została ukończona w drugim kwartale tego roku, jednak producent nie potwierdził jeszcze kiedy pojawią się pierwsze urządzenia korzystające z rozwiniętego standardu pamięci typu GDDR6W.