Qualcomm zatwierdza 14 nm pamięć DRAM LPDDR5X. Nowe rozwiązania Samsunga trafią do chipów Snapdragon
W listopadzie ubiegłego roku Samsung ogłosił swoją nową pamięć LPDDR5X dla smartfonów. Nowy RAM ma zapewnić wzrost wydajności względem LPDDR5, przy jednoczesnym 20% mniejszym zapotrzebowaniu na energię. Dziś Koreańczycy poinformowali o ścisłej współpracy z firmą Qulacomm, której celem ma być optymalizacja pamięci pod kątem wykorzystania w ramach mobilnej platformy Snapdragon. Co ciekawe, Samsung pierwotnie deklarował aż 1,3-krotny wzrost wydajności względem poprzedniego standardu. Teraz mówi się o 1,2-krotnym wzroście. Różnica wydaje się niewielka, ale może oznaczać, że producent musiał finalnie pójść na pewne kompromisy. Nie będą one miały jednak większego znaczenia w produkcie końcowym. Pora na kilka twardych liczb.
Samsung ogłasza zacieśnienie współpracy z marką Qualcomm, której celem ma być efektywne wykorzystanie pamięci DRAM LPDDR5X w przyszłych mobilnych chipsetach serii Snapdragon.
Test Motorola edge 30 Pro: Jak poradził sobie smartfon z najnowszym, flagowym chipem Qualcomm Snadpragon 8 Gen 1?
Nowe smartfony i tablety, które będą zasilane topowymi jednostkami serii Qualcomm Snadpragon, mogą liczyć na pamięć DRAM LPDDR5X. Względem poprzednika zmieniła się przede wszystkim szybkość przetwarzania, która wzrosła 1,2-krotnie oraz zużycie energii, które zmalało o 20%. Według producenta, nowa pamięć zapewni wydajniejsze nagrywanie wideo w wysokiej rozdzielczości oraz sprawniejsze funkcje sztucznej inteligencji. Oczywiście LDPPR5X może trafić także na rynek motoryzacyjny oraz do centrów danych. 14 nm, 16 Gb pamięć zaprezentowana w listopadzie ubiegłego roku, została zatwierdzona przez firmę Qualcomm Technologies, o czym poinformował dziś Samsung.
Test smartfona realme 9 Pro+. Ładowanie 60 W, Android 12 i dobrej jakości zdjęcia w cenie do 2000 zł? Czy warto, sprawdźmy!
Współpraca pomiędzy firmami Qualcomm oraz Samsung oznacza szansę optymalizacji przepustowości LPDDR5X na poziomie 7,5 Gb/s w chipach mobilnych Snapdragon. Początkowo mówiło się jednak o prędkości przetwarzania 8,5 Gb/s. Dla skali – LPDDR5 miał maksymalną przepustowość wynoszącą 6,4 Gb/s. Tyle w temacie wydajności. Energooszczędność zapewnią nowo zaprojektowane obwody oraz dynamiczne skalowanie napięcia i częstotliwości. W efekcie uzyskamy oszczędność wynoszącą nawet 20%.
Powiązane publikacje

Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
35
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6
Pamięć ULTRARAM ma zielone światło. Partner QUINAS Technology opracował metodę, która otwiera furtkę do masowej produkcji
30
Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko
19