Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Micron prezentuje pamięć DDR5-7200 o pojemności 16 Gb, która wykonana została w procesie technologicznym 1β

Łukasz Stefaniak | 11-10-2023 14:00 |

Micron prezentuje pamięć DDR5-7200 o pojemności 16 Gb, która wykonana została w procesie technologicznym 1βMicron jest jednym z największych producentów pamięci DRAM na świecie. Firma nie spoczywa jednak na laurach i regularnie dokonuje ulepszeń swoich produktów. Według najnowszej informacji prasowej, przedsiębiorstwo dostarcza już do swoich klientów nową pamięć DDR5, która została wykonana w procesie technologicznym 1β. Rozwiązanie jest przeznaczone zarówno do centrów danych, jak i zwykłych komputerów, które każdy z nas używa na co dzień.

Nowa pamięć Microna cechuje się znacznie wyższą wydajnością i efektywnością energetyczną w porównaniu z rozwiązaniami poprzedniej generacji. Jest to zasługa zaawansowanego procesu technologicznego 1β.

Micron prezentuje pamięć DDR5-7200 o pojemności 16 Gb, która wykonana została w procesie technologicznym 1β [1]

Micron zaprezentuje nowej generacji pamięci GDDR7 w pierwszej połowie 2024 roku

Nowe kostki pamięci Microna mają pojemność 16 Gb i mogą pracować z szybkością do 7200 MT/s. Według oficjalnego komunikatu firmy, proces technologiczny 1β pozwolił zwiększyć ogólną wydajność nawet o 50% i uzyskać o 33% lepszy współczynnik wydajności na 1 W mocy w porównaniu do rozwiązań poprzedniej generacji. Oferta nie ogranicza się oczywiście wyłącznie do modułów 7200 MT/s. Klienci będą mogli skorzystać z szerokiej oferty, która będzie obejmowała rozwiązania o szybkości zaczynającej się od 4800 MT/s.

Micron prezentuje pamięć DDR5-7200 o pojemności 16 Gb, która wykonana została w procesie technologicznym 1β [2]

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0

Jak argumentuje amerykańska firma, dostarczanie na rynek coraz szybszej pamięci jest niezbędne w sytuacji zwiększającej się liczby rdzeni w procesorach, zwłaszcza w przypadku jednostek serwerowych. Nowa pamięć pozwala na znacznie lepsze skalowanie wydajności w segmencie sztucznej inteligencji i analizy danych. Proces technologiczny 1β posłuży do produkcji nie tylko pamięci DDR5, ale także LPDDR5X, HBM3E oraz GDDR7. Podstawą będą kostki o pojemnościach od 16 Gb do 32 Gb. Firma ASUS zapowiedziała już wypuszczenie laptopów (w tym urządzeń z serii ROG), które wykorzystają nowe rozwiązanie.

Źródło: Micron
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 21

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.