fabryki półprzewodników

Bank of America podważa jeden z najgłośniej nagłaśnianych planów przemysłowych ostatnich miesięcy, czyli zapowiedź prezydenta Korei Południowej o podwojeniu krajowych mocy produkcyjnych pamięci DRAM do 2030 roku. Nowe analizy, bazujące częściowo na źródłach z tajwańskiego przemysłu półprzewodnikowego, pokazują, że fabryki mające powstać w Gwangju i Prowincji Cholla Południowa potrzebują znacznie więcej czasu niż zakładano.

Tajwan to serce globalnej produkcji półprzewodników, ale także region, w którym aktywność sejsmiczna jest codziennością. 27 grudnia 2025 roku, tuż przed północą, wyspę nawiedziło jedno z najsilniejszych trzęsień ziemi od lat, o magnitudzie 7,0. Epicentrum znajdowało się niespełna 32 kilometry od wybrzeża w pobliżu miasta Yilan. Dla Europy taki wstrząs oznaczałby zagładę infrastruktury, ale dla Tajwanu to po prostu kolejny sprawdzian wytrzymałości.

TSMC nie zwalnia tempa w wyścigu o dominację na rynku najbardziej zaawansowanych chipów. Debiut technologii 3 nm (N3) był głośnym tematem, a tajwański gigant rzuca na stół kolejną, potężną kartę. Mowa o inwestycji, czyli budowie trzech nowych, gigantycznych zakładów produkcyjnych, dedykowanych wyłącznie litografii 2 nm (N2). Ten ruch to coś więcej niż zwykłe zwiększanie mocy. To strategiczne uderzenie, które ma zabezpieczyć firmę na całe lata jako światowego lidera.

TSMC intensyfikuje swoje inwestycje w USA, planując przyspieszenie budowy kolejnych fabryk półprzewodników w Arizonie. Firma deklaruje chęć skrócenia czasu budowy do poziomu porównywalnego z tempem realizacji projektów na Tajwanie. Choć celem jest zwiększenie lokalnych zdolności produkcyjnych, eksperci, w tym były CEO Intela, Pat Gelsinger, ostrzegają, że bez lokalizacji kluczowych działów R&D nie uda się przywrócić USA globalnego przywództwa technologicznego.