Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Samsung potwierdza prace nad pamięciami GDDR6 o efektywnym taktowaniu 20 000 MHz oraz 24 000 MHz

Damian Marusiak | 14-12-2021 15:30 |

Samsung potwierdza prace nad pamięciami GDDR6 o efektywnym taktowaniu 20 000 MHz oraz 24 000 MHzWraz z architekturą Turing, NVIDIA zastosowała w swoich kartach graficznych (zarówno w desktopowych jak i mobilnych wersjach) pamięci GDDR6, które później widzieliśmy także w kartach AMD Radeon RX 5000 oraz Radeon RX 6000. NVIDIA w przypadku najmocniejszych kart Ampere zdecydowała się na szybsze kości GDDR6X, za produkcję których odpowiada Micron. Oprócz wspomnianej firmy, spore udziały w wytwarzaniu modułów DRAM dla kart graficznych posiada także koreański Samsung. Firma już kilka tygodni temu opublikowała wstępne plany dotyczące prac nad szybszymi pamięciami. Wówczas określaliśmy je jako GDDR6+ oraz GDDR7. Obecnie na stronie producenta możemy jednak znaleźć informacje o samplingu kilku nowych typów kości GDDR6, w tym o efektywnym taktowaniu sięgającym 24 000 MHz.

Samsung na swojej stronie internetowej dodał informacje o dwóch kolejnych typach pamięci GDDR6. Oznaczenia K4ZAF325BC-SC20 oraz K4ZAF325BC-SC24 sugerują znacznie wyższe taktowanie sięgające 20 oraz 24 Gbps.

Samsung potwierdza prace nad pamięciami GDDR6 o efektywnym taktowaniu 20 000 MHz oraz 24 000 MHz [1]

Samsung zdradza pierwsze informacje na temat pamięci VRAM GDDR6+ oraz GDDR7 dla kart graficznych nowej generacji

Samsung obecnie masowo produkuje pamięci GDDR6 o efektywnym taktowaniu 14, 16 oraz 18 Gbps. Według informacji umieszczonych na stronie producenta, wkrótce może ruszyć produkcja szybszych i pojemniejszych modułów. Mowa przede wszystkim o dwóch nowych wariantach: K4ZAF325BC-SC20 oraz K4ZAF325BC-SC24. Pierwszy z nich oferuje efektywne taktowanie 20 000 MHz, podczas gdy drugi - do 24 000 MHz. Jeszcze kilka tygodni temu pamięci te były określane jako GDDR6+, ale widocznie finalnie będą należały do obecnej już generacji GDDR6. Szybsze pamięci oferują tą samą budowę, dzięki czemu nie będzie konieczności zmian w projektach płytek PCB kart graficznych czy płyt głównych w notebookach.

Samsung potwierdza prace nad pamięciami GDDR6 o efektywnym taktowaniu 20 000 MHz oraz 24 000 MHz [2]

NVIDIA GeForce RTX 4000 - układ AD102 Ada Lovelace ma oferować taktowanie na poziomie 2,2 GHz oraz 384-bitową szynę pamięci

Obecnie pierwsze próbki szybszych pamięci są testowane (sampling), co oznacza że w przyszłym roku koreański producent powinien bez większych problemów uruchomić masową produkcję. Spodziewamy się, że kostki GDDR6 o szybkości 20 oraz 24 Gbps trafią do nowej generacji kart graficznych AMD RDNA 3. W przypadku NVIDII sytuacja nie jest tak klarowna, bo producent obecnie w najmocniejszych układach Ampere stosuje kości GDDR6X. Bardziej prawdopodobne jest to, że szybsze GDDR6 trafią do słabszych kart GeForce RTX 4000 oraz do laptopów.

Źródło: Samsung
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 8

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.