Samsung zdradza pierwsze informacje na temat pamięci VRAM GDDR6+ oraz GDDR7 dla kart graficznych nowej generacji

Wraz z architekturą Turing, NVIDIA zastosowała w swoich kartach graficznych pamięci GDDR6, które później widzieliśmy także w kartach AMD Radeon RX 5000 oraz Radeon RX 6000. NVIDIA w przypadku najmocniejszych kart Ampere postawiło dodatkowo na kości GDDR6X, za produkcję których odpowiada Micron. Oprócz wspomnianej firmy, spore udziały w wytwarzaniu kości DRAM dla kart graficznych posiada także koreański Samsung. Przedsiębiorstwo zdradziło właśnie plany na najbliższą przyszłość, jeśli chodzi o rynek pamięci RAM oraz VRAM dla układów GPU. Ciekawie zapowiadają się nowości w kontekście modułów DRAM dla kart graficznych. Samsung opracowuje obecnie kości GDDR6+ oraz GDDR7. W obu przypadkach możemy liczyć przede wszystkim na znacznie wyższą przepustowość.

Samsung zdradził pierwsze informacje na temat planów na dalszy rozwój rynku pamięci DRAM dla kart graficznych. Po GDDR6 przyjdzie czas na odpowiednio GDDR6+ oraz GDDR7, które zostaną przygotowane dla nowych generacji kart graficznych. Mają się odznaczać m.in. wyższą przepustowością.

NVIDIA GeForce RTX 3000 - Micron potwierdza pamięci GDDR6X

Podczas prezentacji Samsung Tech Day 2021, koreański producent omówił najnowsze technologie, nad jakimi pracuje w kontekście pamięci DRAM. Wśród nowości, nad jakimi pracuje obecnie Samsung, warto wspomnieć o pamięciach GDDR6+ oraz GDDR7. Ten pierwszy jest usprawnioną wersją obecnych GDDR6, które mają zaoferować nie tylko wyższe prędkości, ale także ulepszoną energooszczędność. Jeśli chodzi o maksymalne, efektywne taktowanie, to GDDR6+ ma dochodzić do 24 000 MHz (24 Gbps). Dla porównania obecnie najszybsze kości GDDR6X od Microna osiągają prędkości do 21 000 MHz. Zwiększenie taktowania GDDR6+ wpłynie także pozytywnie na ich przepustowość. Karta graficzna wykorzystująca 256-bitową magistralę, osiągnie przepustowość rzędu 768 GB/s. Dla szyn 320-bit/352-bit/384-bit będzie to już ponad 1 TB/s.

SK hynix z sukcesem rozpoczął produkcję pamięci DRAM typu HBM3 z przepustowością rzędu 819 GB/s na stos

Jeszcze ciekawiej zapowiadają się kości nowej generacji - GDDR7. Samsung deklaruje, że osiągną one efektywne taktowanie sięgające 32 000 MHz (32 Gbps). Pamięć o takiej prędkości i przy użyciu 256-bitowej magistrali, będzie w stanie osiągnąć przepustowość sięgającą 1 TB/s, Dla 384-bitowej szyny będzie to już 1,5 TB/s, a dla 512-bitowej magistrali - 2 TB/s. Dodatkowo pamięci GDDR7 produkcji Samsunga mają wykorzystać nową technologię korekcji błędów w czasie rzeczywistym. Nowe pamięci mają zostać wykorzystane w kartach graficznych przyszłej generacji, jednak trudno obecnie powiedzieć, czy jest szansa, aby pojawiły się przykładowo w kartach NVIDII oraz AMD, opartych na architekturach Ada Lovelace oraz RDNA 3. Oprócz tego trwają także wczesne prace nad pamięcią typu DDR6 (niedawno pojawiły się pierwsze pamięci obsługujące standard DDR5), które według producenta mają zaoferować dwukrotnie większe prędkości na poziomie minimum 12800 Mbit/s, z możliwością OC do 17000 Mbit/s. Ich debiut nastąpi jednak dopiero za kilka lat, więc obecnie to bardziej pieśń przyszłości.