Samsung ma już kompletną linię do produkcji chipów 5 nm w EUV

Samsung Electronics ogłosił, że jego technologia produkcji chipów w litografii 5 nm FinFET w EUV jest kompletna i jest już gotowa do wyprodukowania próbek dla klientów. Koreańczycy wiążą z nowym produktem ogromne nadziej. Na lukratywnym rynku półprzewodników, firma walczy o pozycję lidera z Intelem. W porównaniu z litografią 7nm, technologia 5 nm FinFET firmy Samsung zapewnia 25 procentowy wzrost liczby tranzystorów na tym samym obszarze przy 20 procentowym niższym zużyciu energii lub przy 10 procentowej wyższej wydajności przy takim samym zużyciu prądu. "Weźmy pod uwagę, że proces 5 nm uruchamiamy w ciągu zaledwie sześciu miesięcy od rozpoczęcia w październiku pierwszego komercyjnego zastosowania EUV w naszej litografii 7nm" - chwali się Samsung.

Oprócz ulepszeń dotyczących zasilania, wydajności powierzchni (power, performance, area (PPA), Samsung zastosował w nowych chipach własną, opatentowaną architekturę tranzystorów Smart Diffusion Break (SDB)

Samsung nie szczędzi mocnych haseł. Zdaniem firmy chipy wykonane w litografii 5nm są "katalizatorem czwartej rewolucji przemysłowej". Jedną z największych korzyści wynikających z zastosowania technologii skrajnego ultrafioletu (EUV) w produkcji chipów 5 nm jest uproszczenie procesu projektowania poprzez odejście od coraz bardziej złożonej litografii wielowarstwowej. "Choć jest jeszcze wcześnie, coraz bardziej oczywiste jest, że zmniejszona liczba masek i prostszy proces jest niczym innym jak rewolucją dla projektantów krzemowych. Westchnienia ulgi będą słyszalne będą we wszystkich fabrykach, ponieważ technologia EUV zostanie bezproblemowo włączona do istniejących już architektur projektowych. Znacznie skróci to czas i koszty wdrożenia" - podaje Daewon Ha, z Semiconductor R&D Center, Samsung Electronics. "To połączenie postępu technologicznego i korzyści ekonomicznych jest w dużej mierze zgodne z wielką tradycją Prawa Moore`a".

TSMC rozpoczyna w marcu seryjną produkcję w litografii 7 nm EUV

Oprócz ulepszeń dotyczących zasilania, wydajności powierzchni (power, performance, area (PPA), Samsung zastosował w nowych chipach własną, opatentowaną architekturę tranzystorów Smart Diffusion Break (SDB). „Pomyślnym zakończeniem naszego rozwoju 5nm udowodniliśmy nasze możliwości w produkcji opartej na EUV”, powiedział Charlie Bae, wiceprezes wykonawczy w Samsung Electronics. W październiku 2018 r. Samsung ogłosił gotowość techniczną i rozpoczął testową produkcję chipów wykonanych w procesie 7nm - pierwszych wykonanych technologią litografii EUV. Firma dostarczyła komercyjne próbki pierwszych w branży nowych produktów opartych na EUV i rozpoczęła masową produkcję procesu 7nm na początku tego roku.