Intel przetworzył ponad milion wafli w technologii High-NA EUV. Tym samym wyprzedza całą resztę branży razem wziętą

ASML od lat rozwija technologię, która ma utrzymać przy życiu prawo Moore'a, czyli regularne podwajanie liczby tranzystorów na chipie mniej więcej co dwa lata. Litografia High-NA EUV przez lata funkcjonowała jako obietnica odległa o kilka generacji procesów. Intel jako pierwszy zainstalował komercyjny egzemplarz tego sprzętu i od tamtej pory zbiera dane produkcyjne szybciej niż reszta branży razem wzięta. Firma właśnie ujawniła liczbę pokazującą realne tempo tej adaptacji.

Intel przetworzył ponad milion wafli krzemowych z użyciem skanerów High-NA EUV, przekraczając łączny wynik reszty branży, w tym TSMC, które raportuje o przetworzeniu nieco ponad 500 tysięcy wafli.

Intel twierdzi, że litografia 14A idzie lepiej niż zakładano. TSMC oraz Samsung mają zupełnie inny plan na proces 1,4 nm

Od lutego 2025 roku, gdy Intel raportował około 30 tysięcy wafli przetworzonych na skanerach High-NA EUV, do teraz firma przekroczyła próg miliona sztuk 300-milimetrowych płytek krzemowych, licząc instalację i certyfikację sprzętu, prace badawcze oraz wykorzystywanie High-NA na wybranych warstwach części procesorów Panther Lake. ASML podało w kwietniu, że wszystkie jego maszyny High-NA EUV na świecie przetworzyły łącznie ponad 500 tysięcy wafli przy dostępności rzędu 80 proc. Intel samodzielnie pokonał więc resztę branży, korzystając z niewielkiej ilości skanerów High-NA, w tym EXE:5000 i EXE:5200B.

Platforma Intel LGA 1954 ma posłużyć przynajmniej kilku generacjom procesorów Core Ultra, na co wskazują nowe dane

Na razie Intel używa standardowych masek fotolitograficznych 6×6 cala, które przy anamorficznym powiększeniu High-NA (4x w jednej osi, 8x w drugiej) naświetlają pole zaledwie 26×16,5 mm zamiast pełnych 26×33 mm znanych z konwencjonalnego EUV. Duże układy, w tym procesory i karty graficzne, trzeba więc naświetlać dwukrotnie i zszywać, a to obniża przepustowość skanera EXE:5200B ze 175 do 125 wafli na godzinę i wymaga submikronowej precyzji na granicy złączenia. Błąd w tym miejscu psuje ścieżki i złącza międzywarstwowe, a przy dużych rdzeniach oznacza kosztowną utratę uzysku.

Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 6 Extreme - większy pakiet, pamięć obok SoC i rozwiązanie przypominające HPB Samsunga

Firma Intel pcha więc branżę w stronę masek 6×12 cala, które pozwolą naświetlić pełne pole bez zszywania (stitching), kosztem przebudowy całego ekosystemu produkcji masek i modyfikacji samych skanerów budowanych przez firmę ASML. Producent w swoim harmonogramie zakłada na razie stosowanie masek 6×6 i zszywanie nawet w skanerach planowanych na okres przed i po 2033 roku. Jeśli Intelowi uda się przeforsować własny standard masek, zyska przewagę trudną do odrobienia przez konkurencję.