TSMC przyspiesza budowę Fab 25 dla procesu 1,4 nm. Pierwszy budynek ma być gotowy przed kwietniem 2027

TSMC przyspiesza budowę kompleksu Fab 25 w Central Taiwan Science Park, który ma produkować układy w procesie A14. Pierwszy z czterech budynków ma być gotowy przed kwietniem 2027 roku, czyli szybciej niż zakładano. Produkcja próbna może rozpocząć się w Q3 2027 roku, natomiast produkcja masowa pozostaje planowana na 2028 rok. W tym samym czasie Samsung przesuwa proces SF1.4 na 2029 rok, a Intel przygotowuje 14A z wykorzystaniem High-NA EUV.

TSMC przyspiesza budowę kompleksu Fab 25 dla procesu A14. Pierwszy z czterech budynków ma być gotowy przed kwietniem 2027 roku, a produkcja próbna może ruszyć w trzecim kwartale. Produkcja na masową skalę pozostaje w planach na 2028 rok.

SMIC wyprzedza GlobalFoundries i zbliża się do Samsunga. TSMC nadal kontroluje aż 72,5 proc. rynku

TSMC przyspiesza budowę Fab 25 w drugiej fazie Central Taiwan Science Park w Taichung. Kompleks ma docelowo obejmować cztery zakłady przeznaczone do produkcji układów w procesie A14, czyli technologii klasy 1,4 nm. Według najnowszych informacji pierwszy budynek ma zostać ukończony przed kwietniem 2027 roku. To poprawa względem wcześniejszego harmonogramu, który zakładał zakończenie prac znacznie później. Źródła branżowe wskazują jednak, że sama produkcja próbna nie ruszy w kwietniu. Jej start jest obecnie przewidywany na trzeci kwartał 2027 roku. Produkcja masowa pozostaje planowana na drugą połowę 2028 roku. A14 będzie drugą generacją tranzystorów nanosheet typu Gate-All-Around po N2. TSMC deklaruje, że w porównaniu z procesem N2 technologia zapewni 10–15 proc. wyższą wydajność przy tym samym poziomie poboru energii albo 25–30 proc. niższe zużycie energii przy tej samej wydajności. Firma mówi również o około 20 proc. wzroście gęstości upakowania układów. To jednak wartości deklarowane przez producenta, a nie niezależne pomiary.

Intel twierdzi, że litografia 14A idzie lepiej niż zakładano. TSMC oraz Samsung mają zupełnie inny plan na proces 1,4 nm

Postęp technologiczny A14 wygląda jednak obiecująco nawet na tle wcześniejszych etapów rozwoju N2. Podczas lipcowego spotkania z inwestorami TSMC poinformowało, że wewnętrzne układy testowe osiągają już około 90 proc. docelowej wydajności tranzystorów, a uzysk dla 256 Mb SRAM zbliżył się do 90 proc. W tym samym czasie klienci rozpoczęli już kolejne etapy projektowania układów A14, a część prac związanych z tape-outami przebiega wcześniej, niż zakładano. Ważną różnicą między TSMC a Intelem jest podejście do litografii. Intel 14A ma wykorzystywać High-NA EUV oraz tranzystory RibbonFET i technologię PowerDirect odpowiedzialną za dostarczanie zasilania od tylnej strony układu. Intel deklaruje produkcję wysokowolumenową 14A w 2028 roku, poprzedzoną produkcją ryzykowną pod koniec 2027 roku. Jednocześnie dalszy rozwój 14A pozostaje związany z pozyskaniem zewnętrznych klientów dla Intel Foundry. TSMC nie planuje natomiast wykorzystania High-NA EUV na tym samym etapie co Intel. Firma rozwija A14 z wykorzystaniem obecnej generacji EUV, a wdrożenie High-NA do produkcji dużych układów jest przez TSMC rozpatrywane dopiero w późniejszym terminie. Nie oznacza to jednak technologicznej rezygnacji z High-NA. Chodzi raczej o moment, w którym dodatkowa rozdzielczość i koszt nowych maszyn będą uzasadnione ekonomicznie.

Intel przetworzył ponad milion wafli w technologii High-NA EUV. Tym samym wyprzedza całą resztę branży razem wziętą

Samsung znalazł się w mniej komfortowej sytuacji. Według informacji przytaczanych przez TrendForce firma wznowiła prace nad SF1.4, ale przesunęła produkcję masową z pierwotnie zakładanego 2027 roku na 2029 rok. Wcześniej Samsung chce skoncentrować się na poprawie uzysków i optymalizacji procesów SF2 oraz ich odmian. Jeśli obecne harmonogramy się utrzymają, TSMC będzie miało więc przewagę nad Samsungiem w terminie wdrożenia procesu klasy 1,4 nm, a jego A14 wystartuje w podobnym okresie co Intel 14A. Nie oznacza to jednak automatycznie zwycięstwa jednej firmy. Różnice między nazwami węzłów, architekturami tranzystorów, litografią i harmonogramem produkcji sprawiają, że samo porównanie „1,4 nm kontra 1,4 nm” niewiele mówi o rzeczywistej przewadze technologicznej. Na razie najważniejszy jest fakt, że A14 TSMC rozwija się zgodnie z planem, a budowa infrastruktury dla tego procesu przebiega szybciej od wcześniejszych założeń.