SK Hynix rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM HBM2E
Firma SK Hynix poinformowała o tym, że wystartowała masowa produkcja superszybkiej pamięci DRAM HBM2E, będącej następcą układów HBM2 (ang. High Bandwidth Memory). Kości zostały zapowiedziane w sierpniu ubiegłego roku i udało się dotrzymać ustalonego wtedy terminu uruchomienia produkcji. SK Hynix był drugim producentem, który zaprezentował oficjalnie pamięci HBM2E. Wcześniej ogłosił je również Samsung, który rozpoczął masową produkcję Flashbolt prędzej, bo na początku bieżącego roku. Pamięci HBM2E od firmy SK Hynix mogą jednak pochwalić się wyższą transmisją danych, wynoszącą 3,6 Gb/s na stos, w porównaniu do oficjalnej specyfikacji, w której mowa o maksymalnej szybkości na poziomie 3,2 Gb/s.
Firma SK Hynix poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji superszybkiej pamięci DRAM HBM2E, która może pochwalić się transmisją danych na poziomie 3,6 Gb/s na stos.
Samsung: premiera pamięci HBM2E Flashbolt o pojemności 16 GB
Pamięci DRAM HBM2E od SK Hynix mogą pochwalić się nawet o 30% mniejszą powierzchnią przy obniżonym do 50% poborze energii oraz wyższą o ok. 50% przepustowością względem kości poprzedniej generacji. Mogą one osiągnąć zatem rezultat na poziomie 460 GB/s na stos przy 1024-bitowej magistrali i pojemności 16 GB (osiem 16-gigabitowych warstw, które połączono ze sobą przy użyciu techniki TSV), dwa razy większej niż zwykłe HBM2. W przypadku sześcioczęściowej konfiguracji mowa o wyniku na poziomie aż 2,76 TB/s. Według SK Hynix są to najszybsze pamięci DRAM w branży.
NVIDIA Tesla A100 - specyfikacja najmocniejszej karty na świecie
Pamięci SK Hynix trafią przede wszystkim na rynek HPC i co za tym idzie – znajdą zastosowanie w systemach związanych ze sztuczną inteligencją i tzw. głębokim uczeniem (ang. Deep Learning). Pojawią się w superkomputerach do obliczeń eksaskalowych. W związku z tym nie spodziewalibyśmy się ich w kartach graficznych Radeon lub GeForce przeznaczonych dla konsumentów. Konkurencyjne kości HBM2E Flashbolt od firmy Samsung wykorzystano w ogłoszonych niedawno akceleratorach NVIDIA A100.
Powiązane publikacje

Samsung rezygnuje z mobilnych pamięci DRAM LPDDR4 i LPDDR4X. Gigant będzie teraz koncentrował się na szybszych modułach
11
SK hynix ogłasza rozpoczęcie masowej produkcji pamięci SOCAMM2 dla systemów AI NVIDIA Vera Rubin
9
ASRock, ASUS i Intel testują HUDIMM. DDR5 z jednym subkanałem ma obniżyć koszt tanich pecetów
41
YMTC zwiększa skalę mimo sankcji USA. Nowe zakłady i technologia Xtacking 4.0 to ruch pod rynek pamięci NAND i DRAM
20







![SK Hynix rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM HBM2E [1]](https://www.purepc.pl/image/news/2020/07/03_sk_hynix_rozpoczal_masowa_produkcje_pamieci_dram_hbm2e_0.jpg)
![SK Hynix rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM HBM2E [2]](https://www.purepc.pl/image/news/2020/07/03_sk_hynix_rozpoczal_masowa_produkcje_pamieci_dram_hbm2e_1.jpg)





