Miało być 400 warstw, a wyszło tylko 375. SK hynix zderzył się z problemem, którego nie załatwi marketing

W pamięciach NAND od dawna ważne jest dokładanie kolejnych warstw dla poprawy parametrów w specyfikacji. Im wyższy stos komórek, tym szybciej ujawniają się ograniczenia, których nie da się przykryć marketingiem, czyli rosnący opór linii, trudniejsze trawienie kanałów, problemy z wypełnianiem coraz ciaśniejszych struktur i wyższe koszty materiałów. Najnowsze działania SK hynix pokazują, że dalsze zwiększanie gęstości wymaga zmiany samej architektury materiałowej.

Wyścig o kolejne warstwy 3D NAND zaczął przypominać walkę z oporem, geometrią i kosztami procesu. SK hynix jeszcze nie odpuszcza, ale samo ściśnięcie większej liczby warstw przestało już wystarczać.

Nowy nośnik SK hynix PQC21 debiutuje w Dell Technologies. 321 warstw QLC NAND wchodzi do segmentu AI PC

SK hynix chce uruchomić masową produkcję 375-warstwowego 3D NAND pod koniec 2026 roku. Wewnętrznie ten układ funkcjonował wcześniej jako „klasa 400 warstw”, ale firma zeszła do 375, bo ultrawysokie stackowanie zaczęło komplikować produkcję, zwłaszcza przy trawieniu otworów kanałowych. To nie jest kosmetyka. Przy takiej skali każdy błąd rośnie razem z wysokością struktury, a wolfram używany w liniach słowa zaczyna przegrywać z fizyką. Gdy przewężenia robią się ciaśniejsze, rośnie rezystancja i sygnał po prostu zwalnia.

Micron 6600 ION to istny gigant wśród dysków SSD. Prawie ćwierć petabajta miejsca na dane dla centrów danych

Dlatego SK hynix zastępuje część wolframu molibdenem. Ten materiał lepiej radzi sobie w drobniejszych strukturach, obniża opór i nie wymaga dodatkowej warstwy blokującej przed osadzaniem, więc oszczędza cenne miejsce w stosie. Problem w tym, że przejście nie jest tanie ani proste. Potrzebne są nowe prekursory (związki chemiczne używane w produkcji półprzewodników, z których osadza się cienkie warstwy materiałów na waflu krzemowym), nowe systemy dostarczania chemii i nowy sprzęt. SK hynix wybrał tu rozwiązania Tokyo Electron, podczas gdy Samsung wdraża molibden już od 286-warstwowego V-NAND i szykuje komercjalizację generacji przekraczającej 400 warstw w drugiej połowie 2026 roku. W dłuższym terminie może przełożyć się na wyższą gęstość, mniej kości na nośnik i lepsze parametry zapisu oraz kasowania.