Samsung kończy prace nad pamięcią V-NAND TLC o ponad 400 warstwach. Rozwiązanie trafi docelowo do konsumenckich SSD

Od dłuższego czasu możemy obserwować szybki postęp na rynku nośników SSD. Dyski tego typu są coraz szybsze i pojemniejsze. Jednym z największych producentów wykorzystywanej w nich pamięci NAND flash jest oczywiście Samsung. Koreańska firma pracuje aktualnie nad dziesiątą generacją pamięci V-NAND, która może być teoretycznie wykorzystana nie tylko w nośnikach bazujących na standardzie PCIe 5.0, ale także w przypadku PCIe 6.0.

Samsung na początku przyszłego roku zaprezentuje oficjalnie dziesiątą generację pamięci V-NAND. Rozwiązanie zaoferuje wysokie zagęszczenie komórek oraz szybkość, co może pozwolić na jej wykorzystanie również w przypadku nośników SSD opartych na standardzie PCIe 6.0.

Kioxia spodziewa się olbrzymiego wzrostu zapotrzebowania na pamięć NAND flash w perspektywie czterech kolejnych lat

Firma Samsung traci aktualnie nieco dystansu do konkurencji w kwestii dysków SSD. Wciąż bowiem czekamy na pełnoprawny nośnik PCIe 5.0 skierowany do szerokiego grona zwykłych konsumentów. Inaczej przedstawia się to w przypadku produkcji samej pamięci NAND flash, w czym firma jest jednym ze światowych liderów. Podczas mającej odbyć się w lutym 2025 roku konferencji ISSCC, Samsung oficjalnie zaprezentuje dziesiątą generację pamięci V-NAND. Rozwiązanie będzie składało się z ponad 400 warstw i wykorzysta architekturę TLC. Pojedynczy układ pamięci zaoferuje pojemność 1 Tb. Z racji, że możliwe będzie użycie nawet 16 tego typu układów w pojedynczym pakiecie, należy spodziewać się, że SSD z czterema pakietami zaoferuje do 8 TB przestrzeni dyskowej.

Corsair MP700 Elite - zaprezentowano dysk SSD M.2 NVMe wykorzystujący najnowszą pamięć 3D TLC NAND

Zagęszczenie komórek w nowej generacji pamięci V-NAND będzie wynosiło 28 Gb/mm². Nie jest to najlepszy wynik w historii, ponieważ najnowsza generacja pamięci QLC V-NAND Samsunga, o pojemności 1 Tb, oferuje zagęszczenie 28,5 Gb/mm². Tutaj mówimy jednak o pamięci TLC, zatem i tak jest to wynik imponujący. Dziesiąta generacja pamięci V-NAND zaoferuje szybkość sięgającą 5,6 GT/s. Teoretycznie nie wyklucza to zatem możliwości wykorzystania takich układów w przyszłych dyskach korzystających ze standardu PCIe 6.0 x4. Produkcja pamięci powinna rozpocząć się w przyszłym roku, ale nie ma pewności, czy Samsung zdoła dostarczyć przed jego końcem dyski SSD wykorzystujące to rozwiązanie.