wolfram

W pamięciach NAND od dawna ważne jest dokładanie kolejnych warstw dla poprawy parametrów w specyfikacji. Im wyższy stos komórek, tym szybciej ujawniają się ograniczenia, których nie da się przykryć marketingiem, czyli rosnący opór linii, trudniejsze trawienie kanałów, problemy z wypełnianiem coraz ciaśniejszych struktur i wyższe koszty materiałów. Najnowsze działania SK hynix pokazują, że dalsze zwiększanie gęstości wymaga zmiany samej architektury materiałowej.