Samsung uMCP łączy LPDDR5 z UFS 3.1 NAND. Flagowa wydajność trafi do niedrogich smartfonów

Samsung ogłasza nowy wieloukładowy pakiet pamięci uMCP dla smartfonów oparty na LPDDR5 oraz UFS 3.1. Komponent, który już niebawem pojawi się w średniopółkowych modelach, oferuje 50-procentowy wzrost wydajności względem wcześniej stosowanych DRAM oraz podwójny wzrost prędkości transferu w ramach pamięci flash NAND. Zestaw układów trafił do niewielkiej obudowy o wymiarach 11,5 x 13 mm, w której pozostawiono sporo miejsca na dodatkowe elementy. Wszystko wskazuje na to, że urządzenia ze średniego i wysokiego segmentu korzystające ze standardu 5G czeka solidny skok wydajnościowy. Co więcej, nowy uMCP nie będzie zarezerwowany jedynie dla urządzeń Samsunga. Firma udostępni go również innym producentom smartfonów. Sprawdźmy, co oferuje uMCP.

Samsung zakończył testy kompatybilności LPDDR5 uMCP z globalnymi producentami smartfonów. Wieloukładowa jednostka korzystająca z pamięci UFS 3.1 NAND trafi do partnerów jeszcze w tym miesiącu.

Samsung Galaxy A72 – Test smartfona dla estetów i osób poszukujących dobrego brzmienia z głośników stereo

Wieloukładowy pakiet uMCP łączący LPDDR5 z pamięcią UFS 3.1 NAND został właśnie ogłoszony przez południowokoreańskiego giganta technologicznego i jeśli wierzyć zapewnieniom, jest gotowy do masowej produkcji. Komponent znajdzie zastosowanie w smartfonach globalnych marek ze średniej oraz wyższej półki cenowej. Rzeczony komponent oferuje istotny progres względem dotychczas wykorzystywanych rozwiązań. Oparte na DRAM i NAND uMCP zapewni sprawniejszą pracę ze streamingiem, technologiami AR oraz w zaawansowanych graficznie grach. Przejdźmy do liczb opisujących potencjalnie uzyskiwane prędkości.

Test smartfona Samsung Galaxy S21 Ultra 5G – Bezkompromisowy flagowiec z Exynosem 2100 wyprzedza konkurencję

Nowa jednostka uMCP łączy pamięć DRAM (od 6 do 12 GB) i NAND (od 128 do 515 GB) w pojedynczy element o wymiarach 11,5 x 13 mm, co zapewnia oszczędność miejsca. Opisywane rozwiązanie pozwala na zwiększenie wydajności DRAM z 17 GB/s do aż 25 GB/s, co daje prawie 50% wzrost. W stosunku do UFS 2.2 z LPDDR4X doświadczymy podwojenia prędkości pamięci NAND z 1,5 GB/s do 3 GB/s. Nie wiemy jeszcze, którzy producenci otrzymają pierwszeństwo w wykorzystaniu najnowszej technologii Samsunga.