TSMC dementuje doniesienia o szybkim wejściu na rynek pamięci i pracach nad technologią 3D DRAM dla NVIDIA

Kilka dni temu w sieci pojawiły się doniesienia sugerujące, że TSMC zamierza wejść na rynek pamięci operacyjnej, rozpoczynając produkcję zaawansowanych kości 3D DRAM na potrzeby NVIDIA. Nowe rozwiązania miałyby znaleźć zastosowanie przede wszystkim w serwerach i akceleratorach sztucznej inteligencji. Wkrótce po opublikowaniu tych informacji tajwański gigant odniósł się do tych doniesień, jednak oświadczenie nie rozwiało wszystkich wątpliwości.

TSMC dementuje doniesienia The Information o szybkim wejściu na rynek pamięci operacyjnej i pracach nad technologią 3D DRAM dla serwerów i akceleratorów sztucznej inteligencji od NVIDIA.

TSMC A14 - proces technologiczny ma pozwolić zmniejszyć rozmiar komórek pamięci SRAM, pierwszy raz od 2020 roku

Kilka dni temu portal The Information poinformował, że TSMC zamierza wejść na rynek pamięci operacyjnej, podejmując konkurencję z takimi producentami jak Micron, Samsung czy SK hynix. Pierwszym produktem tajwańskiego przedsiębiorstwa miałyby być zaawansowane kości pamięci 3D DRAM, w których komórki pamięci są ułożone zarówno w poziomie i pionie. Obecnie konwencjonalne układy DRAM wykorzystują zasadniczo płaską strukturę komórek pamięci w jednej warstwie, natomiast pamięć typu HBM łączy kilka osobnych warstw DRAM. TSMC odniosło się do tych doniesień w oświadczeniu dla Tom's Hardware: "Pragniemy podkreślić, że TSMC niezmiennie koncentruje się na swojej podstawowej działalności, jaką jest kontraktowa produkcja układów scalonych. Naszą misją jest pozostanie zaufanym dostawcą technologii i mocy produkcyjnych dla światowego przemysłu układów logicznych przez wiele kolejnych lat".

GlobalFoundries wyprodukuje interposery dla TSMC CoWoS. Pięcioletnia umowa jest warta 2 mld dolarów

W obecnych warunkach rynkowych mało prawdopodobne wydaje się, aby TSMC zdecydowało się wejść na rynek pamięci operacyjnej. Przedsięwzięcie to wymagałoby ogromnych nakładów inwestycyjnych, których zwrot rozciągałby się na wiele lat, potencjalnie wykraczając poza okres kryzysu na rynku pamięci. Ponadto TSMC nie dysponuje tak rozbudowanym zapleczem technologicznym i doświadczeniem w masowej produkcji pamięci DRAM jak np. Micron. Opracowanie odpowiednich procesów technologicznych, które pod wieloma względami różnią się od tych stosowanych przy produkcji układów logicznych, wymagałoby wieloletnich prac badawczo-rozwojowych. Co więcej, wejście na rynek pamięci mogłoby również wzbudzić obawy organów antymonopolowych, ponieważ tajwański gigant połączyłby w ramach swojej działalności trzy kluczowe obszary przemysłu półprzewodnikowego: produkcję układów logicznych, zaawansowane pakowanie chipów oraz wytwarzanie pamięci operacyjnej.

TSMC chciało wyprzedzić Amerykanów, pracując nad chipami przez całą dobę. Po pół roku eksperyment zakończył się porażką

Niektórzy komentatorzy dopatrują się jednak pewnych poszlak, wskazując na prototyp pamięci eDRAM BEOL (Back-End-of-Line) zaprezentowany przez TSMC podczas konferencji VLSI Symposium w 2025 roku. Problem w tym, że opracowana technologia stanowi rozwinięcie dla pamięci SRAM (cache) niż rozwiązanie przeznaczone do produkcji samodzielnych kości DRAM. Jedyną wspólną cechą z pamięcią 3D DRAM jest umieszczenie komórek pamięci nie tylko w poziomie, ale również w pionie. Główną zaletą eDRAM BEOL jest ograniczenie liczby tranzystorów przypadających na komórkę pamięci oraz zwiększenie jej gęstości do 63,7 Mbit/mm², wobec 35,5 Mbit/mm² dla pamięci SRAM wykonanej w procesie 3 nm. Prototyp TSMC charakteryzował się niskim zużyciem energii poniżej 0,5 pJ/bit oraz cyklem krótszym niż 8 ns. Nawet gdyby tajwański gigant zamierzał wykorzystać to rozwiązanie przy opracowywaniu 3D DRAM, ich komercjalizacja w tak krótkim czasie wydaje się mało prawdopodobna. Sama technologia eDRAM BEOL może jednak w przyszłości znaleźć zastosowanie w CPU i GPU, zwłaszcza, że TSMC poczyniło postępy w miniaturyzacji komórek pamięci pierwszy raz od 2020 roku.