Samsung 990 EVO Plus - na rynek trafił jeden z najszybszych dysków SSD korzystających ze standardu PCIe 4.0
Choć Samsung nie należy na razie do liderów w segmencie nośników SSD M.2 NVMe wykorzystujących złącze PCIe 5.0, to o wiele lepszą pozycję koreańska firma ma na rynku dysków używających starszego standardu. Najwyraźniej nie powiedziała też w tym przypadku ostatniego słowa. Na rynek trafił bowiem właśnie bazujący na pamięci TLC V-NAND nośnik Samsung 990 EVO Plus. Dysk wyróżnia się zarówno sekwencyjną, jak i losową szybkością odczytu i zapisu danych.
Na rynku zadebiutował dysk SSD M.2 NVMe Samsung 990 EVO Plus. Jest to kolejny nośnik korzystający ze standardu PCIe 4.0, jednak oferuje on bardzo dobrą szybkość zapisu i odczytu danych oraz 5-nm kontroler.
Team Group T-Force GC PRO - zapowiedź wolniejszego brata serii GE, chociaż i tak nowe nośniki SSD PCIe 5.0 będą bardzo szybkie
Kilka dni temu pisaliśmy o tym, że Samsung po dużym opóźnieniu wprowadził wreszcie do swojej oferty dysk SSD korzystający ze standardu PCIe 5.0. Takich modeli będzie z pewnością wkrótce znacznie więcej, jednak firma nie pożegnała jeszcze całkowicie złącza PCIe 4.0. Dowodem na to jest nośnik 990 EVO Plus. Od strony technicznej mamy tutaj do czynienia z jednym z najlepszych rozwiązań tego typu. Omawiany SSD zaoferuje bowiem sekwencyjną szybkość odczytu i zapisu na poziomie odpowiednio 7250 MB/s i 6300 MB/s. To o 50% lepsze wyniki niż oferuje bazowy Samsung 990 EVO. Współczynnik IOPS zależy od pojemności nośnika, jednak w przypadku modelu 4 TB jest to 1,05 mln dla odczytu i 1,40 mln dla zapisu. Są to wyniki niemal porównywalne do dysków z pamięcią podręczną DRAM, a trzeba zaznaczyć, że Samsung 990 EVO Plus jej nie posiada. Nośnik będzie dostępny w trzech wariantach: 1 TB, 2 TB i 4 TB.
Samsung 990 EVO Plus 1 TB |
Samsung 990 EVO Plus 2 TB |
Samsung 990 EVO Plus 4 TB |
|
Interfejs | PCIe 4.0 x4 / PCIe 5.0 x2 | ||
Format | M.2 2280 | ||
Typ pamięci | 236-warstwowa TLC V-NAND ósmej generacji | ||
Kontroler | Samsung 5 nm | ||
Sekwencyjna szybkość odczytu / zapisu | 7150 MB/s 6300 MB/s |
7250 MB/s 6300 MB/s |
7250 MB/s 6300 MB/s |
Losowa szybkość odczytu /zapisu |
0,85 mln IOPS 1,35 mln IOPS |
1,00 mln IOPS 1,35 mln IOPS |
1,05 mln IOPS 1,40 mln IOPS |
TBW | 600 TB | 1200 TB | 2400 TB |
Szyfrowanie | 256-bitowe AES, TCG / Opal v2.0 | ||
Cena | 109,99 USD | 184,99 USD | 344,99 USD |
Samsung ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji pamięci QLC V-NAND dziewiątej generacji. Jakie zalety ma to rozwiązanie?
Podstawą dla nowego SSD jest wyprodukowana przez koreańską firmę 236-warstwowa pamięć V-NAND ósmej generacji oraz kontroler wykonany w procesie technologicznym 5 nm. Dysk posiada także specjalną, pokrytą niklem, osłonę termiczną. Ma ona zadbać o odpowiednią temperaturę pracy nośnika i zapobiec jego przegrzewaniu się nawet podczas intensywnej pracy. Producent deklaruje, że efektywność energetyczna w porównaniu do 990 EVO jest nawet o 73% wyższa. Po stronie zalet należy wymienić także długą pięcioletnią gwarancję. Nośniki z tej serii zadebiutowały już w USA. Oficjalnie kosztują od 109,99 USD do 344,99 USD, ale w niektórych miejscach można je nabyć sporo taniej. Samsung zadeklarował, że jeszcze w tym roku dyski trafią także do Polski, jednak nie znamy na razie ich cen na naszym rynku.
Powiązane publikacje

SSD PCIe 5.0 pozostaną standardem na najbliższe pięć lat. PCIe 6.0 jest zbyt kosztowne dla rynku konsumenckiego
50
Seagate 4 TB NVMe Expansion Card - oto pamięć dla konsol Xbox. W jej cenie kupisz... model Series S i kilka gier
11
SK hynix prezentuje 321-warstwowe moduły UFS 4.1. Powinny idealnie pasować do przyszłych ultracienkich smartfonów
10
Crucial T710 i X10 na Computex 2025. Rekordowe prędkości 14,9 GB/s i 276-warstwowy NAND dla graczy, twórców oraz aplikacji AI
18