Rambus prezentuje moduły DDR5 MRDIMM i RDIMM, które osiągają transfer 12800 MT/s dzięki multipleksowaniu danych
Na rynku pamięci operacyjnej, obok popularnych modułów RAM DDR5 w formatach DIMM i SODIMM, znajdują się również specjalistyczne moduły, takie jak MRDIMM (Multiplexed Rank DIMM) i RDIMM (Registered DIMM). Te zaawansowane rozwiązania są wykorzystywane głównie w serwerach obliczeniowych oraz systemach sztucznej inteligencji. Rambus zaprezentował właśnie nowe moduły tego typu, wykorzystujące m.in. układy RCD 5. generacji.
Rambus zaprezentował pierwsze na świecie moduły RDIMM i MRDIMM oparte na kościach pamięci DDR5, które osiągają imponujący transfer danych na poziomie 12800 MT/s. Tak wysoką przepustowość osiągnięto m.in. dzięki zastosowaniu technologii multipleksowania danych.
Crucial wprowadził do swojej oferty pierwsze moduły CUDIMM. W przyszłym roku zadebiutuje wariant o imponującej pojemności
Moduły Rambus DDR5 RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) zostały zaprojektowane z myślą o zastosowaniach serwerowych i wyposażone w układ RCD (Registering Clock Driver) 5. generacji, który obsługuje transfer danych z prędkością do 8000 MT/s. Producent wyposażył również PCB w układ zarządzania energią PMIC5030, który zapewnia wysokie natężenie prądu przy niskim napięciu, umożliwiając wysokie transfery oraz zastosowanie większej liczby kości pamięci DDR5 na jednym module w porównaniu do wcześniejszych rozwiązań. Moduły RDIMM wyposażono również w koncentratory SPD (Serial Presence Detect) oraz czujnik temperatury TS.
SK hynix opracowało pamięć DDR5 bazującą na szóstej generacji procesu 10 nm. Rozwiązanie ma szereg zalet
Moduły MRDIMM (Multiplexed Rank Dual Inline Memory Module), oparte na pamięciach DDR5, oprócz standardowych układów zawierają także MRCD (Multiplexed Registering Clock Driver) oraz MDB (Multiplexed Data Buffer). Rambus chwali się, że ten typ modułów osiąga prędkość transferu danych na poziomie 12800 MT/s. Tak wysoka prędkość jest możliwa dzięki temu, że układy MDB przeplatają dane między dwoma kośćmi pamięci DDR5 w naprzemiennych cyklach zegara, co skutecznie podwaja prędkość przesyłu danych. Pozwala to na komunikację z procesorem z deklarowaną szybkością, mimo że fizycznie kości pamięci działają z dwukrotnie wolniejszym transferem. Każdy moduł MRDIMM jest wyposażony w jeden układ MRCD oraz dziesięć buforów MDB. W przyszłości planowane są także moduły w większym formacie, oferujące cztery rzędy kości pamięci, co podwoi ich pojemność.
Powiązane publikacje

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
15
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6