Micron ujawnił pamięci HBMnext, będących następcami HBM2E
Firma Micron ujawniła dzisiaj ku zaskoczeniu wszystkich nowy rodzaj pamięci GDDR6X, których istnienie podawano w wątpliwość. Zgodnie z informacją prasową, zostaną one wykorzystane w nadchodzących kartach graficznych NVIDIA GeForce RTX 3000, z flagowym modelem GeForce RTX 3090 z 12 GB VRAM-u na czele. To jednak nie jedyne kości, jakie Micron skrywał przed nami, ponieważ – jak wynika z publikacji technicznej udostępnionej przez rzeczonego producenta pamięci DRAM i NAND – w planach jest również wydanie pamięci HBMnext, będących bezpośrednim następcą modułów HBM2E, których masowa produkcja rozpoczęła się w tym roku. Niestety, nie poznaliśmy przewidywanej specyfikacji.
Micron potwierdził oficjalnie pamięci DRAM HBMnext (możliwa nazwa robocza), następcę kości HBM2E, którego zadebiutowały w 2020 roku. Według wstępnych planów HBMnext mają trafić na rynek pod koniec 2022 r.
NVIDIA GeForce RTX 3000 - Micron potwierdza pamięci GDDR6X
Nie da się ukryć, że w publikacji firmy Micron poświęconej modułom pamięci o wysokiej przepustowości najważniejszą bez wątpienia informacją było potwierdzenie kości GDDR6X. Niemniej jednak w rozdziale dotyczącym przyszłościowych rozwiązań padła interesująca wzmianka o HBMnext. Może być to jedynie robocza nazwa pamięci kolejnej generacji układów HBM (ang. High Bandwidth Memory). Micron więc jako pierwszy potwierdza w ogóle istnienie nowych kości. Jak wynika z krótkiego opisu, mają one trafić na rynek najwcześniej pod koniec 2022 roku i będą zgodne ze standardem JEDEC.
Niestety, nie dowiedzieliśmy się niczego więcej. Można z pewnością spodziewać się jeszcze wyższej transmisji danych. Obecna generacja, HBM2E, może pochwalić się szybkością na poziomie 3,2 Gb/s lub – jak w przypadku SK Hynix – nawet 3,6 Gb/s na stos i maksymalną pojemnością na poziomie 16 GB (osiem 16-gigabitowych warstw). Z HBME2 Flashbolt od Samsunga korzystają akceleratory NVIDIA A100, których przepustowość sięga 2,4 Gb/s. Micron zaprezentuje własne pamięci typu HBM2E w drugiej połowie 2020 roku i ich szybkość będzie porównywalna z tym, co oferuje konkurencja. Jeśli chodzi o następcę, to z racji odległej premiery na informacje o specyfikacji HBMnext jeszcze sobie długo poczekamy.
SK Hynix rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM HBM2
Powiązane publikacje

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
16
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6