Samsung i IBM pracują nad chipami zbudowanymi w oparciu o VTFET. Cel? Ładowanie smartfonów raz na tydzień

Największą bolączką dzisiejszych smartfonów jest to, że na jednym ładowaniu akumulatora pracują kilkanaście, maksymalnie kilkadziesiąt godzin, nie przekraczając jednak zwykle dwóch dni. Producenci próbują więc z jednej strony zwiększać pojemność tych ogniw, z drugiej zaś pracują nad mniej energożernymi podzespołami. Mowa tu m.in. o koncernach IBM oraz Samsung, które połączyły swoje siły, by opracować nowy sposób projektowania układów obliczeniowych. Nowe półprzewodniki mają wykorzystywać potencjał trójwymiarowego podejścia do upakowania tranzystorów na układzie scalonym. Zaprojektowane w ten sposób układy, mają cechować się znacząco niższym zużyciem energii elektrycznej.

Metoda VTFEF, nad którą pracuje aktualnie IBM oraz Samsung daje możliwość zamontowania większej ilości tranzystorów na pojedynczym chipie. Jest to sposób na ograniczenie poboru energii przez urządzenia elektroniczne.

Huawei P50 Pocket – składany smartfon z układem Snapdragon 888 powalczy z Motorolą Razr i Samsungiem Galaxy Z Flip

Efekty prac IBM i Samsunga mają pozwolić na układanie tranzystorów w pionie oraz w poziomie. Takie podejście nie jest co prawda nowe, ale możliwość zapewnienia przepływu energii w dwóch osiach przekłada się na nowe rozwiązania w dziedzinie projektowania architektury procesorów. Technologia ta, znana pod nazwą VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) ma ostatecznie zastąpić używaną obecnie w najbardziej zaawansowanych półprzewodnikach, technologię FinFET. VTFET to nie tylko mniejsza energożerność, ale także większa wydajność.

NVIDIA GeForce MX550 - karta graficzna dla laptopów, która będzie odpowiedzią na układy AMD RDNA 2 w APU Rembrandt

Specjaliści z koncernów IBM oraz Samsung szacują, że VTFET pozwoli na dwukrotną poprawę wydajności lub 85-procentowe zmniejszenie zużycia energii w porównaniu do FinFET. Oznacza to, że używane obecnie smartfony, korzystając z układów przygotowanych w technologii VTFET mogłyby pracować z dala od gniazdka nawet około tygodnia. Naukowcy pracujący nad architekturą podkreślają, że stosowanie VTFET przyspieszy rozwój także wielu innych gałęzi przemysłu, w tym rozwój nowych urządzeń IoT, a nawet statków kosmicznych.