Zgłoś błąd

X

Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.

Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

STT MRAM z rekordem zapisu. Rusza masowa produkcja pamięci

Bogdan Stech | 29-12-2018 19:00 |

STT MRAM z rekordem zapisu. Rusza masowa produkcja pamięciCzytelnicy Purepc.pl coraz częściej mogą przeczytać o konkretnych zastosowaniach nowych rodzajów pamięci nieulotnej. Kilkukrotnie opisywaliśmy ostatnio obiecującą technologię ReRAM. W laboratoriach trwają jednak poszukiwania konkurencyjnych rozwiązań. Naukowcy z Uniwersytetu Tohoku w Japonii donoszą, że z powodzeniem opracowali 128 Mb pamięć magnetorezystancyjną SST-MRAM czyli Spin Transfer Torque – Magnetoresistive Random Access Memory. Jest to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny pracującej w oparciu o prądy spinowe. Co więcej, udało im się uzyskać rekordową prędkość zapisu. Opracowanie otwiera drogę do masowej produkcji nieulotnej pamięci o dużej prędkości.

Naukowcy osiągnęli także niezwykłą prędkość zapisu - 14 ns przy niskim napięciu 1,2 V. Jest to najszybsza operacja zapisu w układzie STT-MRAM.

STT MRAM z rekordem zapisu. Rusza masowa produkcja pamięci [2]

STT-MRAM (zwana także STT-RAM lub czasami ST-MRAM i ST-RAM) jest zaawansowanym typem urządzeń MRAM. MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory) to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny lub zjawisko gigantycznego magnetooporu. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej i twardej warstwy ferromagnetycznej oraz z oplotu przewodnika. Zapis polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianę rezystancji złącza. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji. STT-MRAM zapewnia wyższą gęstość, niskie zużycie energii i niższy koszt w porównaniu do zwykłych układów, tak zwanych Toggle MRAM. Główną zaletą STT-MRAM nad Toggle MRAM jest możliwość skalowania układów STT-MRAM w celu osiągnięcia wyższych gęstości przy niższych kosztach. STT oznacza Spin-Transfer Torque. W urządzeniu STT-MRAM spin elektronów jest odwracany za pomocą prądu spolaryzowanego spinowo. Efekt ten uzyskuje się w połączeniu z tunelową magnetorezystancją.

Ditellurek molibdenu najlepszym materiałem na pamięci ReRAM

STT MRAM z rekordem zapisu. Rusza masowa produkcja pamięci [1]

Wcześniej dostępne były tylko układy o pojemności od 8Mb do 40Mb. Chip 128Mb jest uważany za przełom, także ze względu na jego praktyczność (zwiększoną pojemność). Najważniejsze jednak, że naukowcy osiągnęli także niezwykłą prędkość zapisu - 14 ns przy niskim napięciu 1,2 V. Jest to najszybsza operacja zapisu w układzie STT-MRAM. Najważniejsze jednak, że rozwiązanie opuszcza laboratorium. Trzy duże wytwórnie półprzewodników przygotowują się do uruchomienia masowej produkcji tych układów w 2019 roku. Zdaniem specjalistów STT-MRAM doskonale nadaje się do wielu popularnych urządzeń. Pamięć zapewnia wysoką wydajność, porównywalną z DRAM i SRAM, ale jest nieulotna czyli dane nie są kasowane po wyłączeniu zasilania. Dodatkowo jest niezwykle energooszczędna, niedroga, a jej produkacja wykorzystuje istniejące techniki i procesy produkcji CMOS.

Źródło: Phys
3
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 10

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.