Micron - Testowa produkcja DRAM w litografii poniżej 20 nm
Firma Micron Technology to jeden z największych producentów kości pamięci dla nośników SSD oraz pamięci operacyjnych, który dostarcza miliony produktów tego typu dla różnych marek - ostatnio informowaliśmy o możliwym wzroście cen nośników półprzewodnikowych spowodowanym zmianą wyceny podzespołów niezbędnych przy produkcji szybkich dysków. A co słychać na rynku pamięci RAM? W ostatnim czasie słyszeliśmy głównie o zwiększaniu pojemności pojedynczych kości DRAM, a teraz możemy nareszcie zająć się innym aspektem technologicznym wpływającym na rozwój modułów znajdujących się w każdym komputerze. Wspomniana na wstępie korporacja oficjalnie poinformowała o rozpoczęciu testowej produkcji układów DRAM (dynamic random access memory) w wymiarze od 17 do 19 nanometrów - proces technologiczny jest w dalszym ciągu rozwijany, jednak uruchomienie testowego wytwarzania sugeruje, że wszystko idzie zgodnie z planem.
Micron przygotowuje się na zwiększone zapotrzebowanie na kości pamięci dla standardów DDR4 i LPDDR4.
Opisywane kości pamięci są produkowane w jednej z japońskich fabryk Micron Technology ulokowanej w Hiroszimie. Producent nie ujawnił dokładnego wymiaru technologicznego, bowiem oficjalna wypowiedź CEO zawiera dosyć tajemniczy zwrot: "1x nanometer". Za niewiadomą możemy oczywiście podstawić wiele cyfr, ale najbardziej prawdopodobne wydają się te z przedziału od 7 do 9. Zastosowanie niższej litografii pozwoli na zmniejszenie poboru energii oraz zwiększenie opłacalności wytwarzania kości DRAM wykorzystywanych przy produkcji pamięci operacyjnej.
Nowy proces technologiczny jest przygotowywany głównie z myślą o standardach DDR4 oraz LPDDR4, które w kolejnych miesiącach będą zyskiwały na popularności. W czwartym kwartale 2014 roku uruchomiono masową produkcję 20-nanometrowych produktów, które będą dostarczane w dużych ilościach dopiero w drugiej połowie tego roku. Firma Micron Techology nie ujawniła, kiedy zamierza uruchomić masowe wytwarzanie kości DRAM w wymiarze od 17 do 19 nanometrów.
Źródło: KitGuru
Powiązane publikacje

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
16
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6