22 zestawy modułów pamięci DDR3 od GeIL
Do oferty firmy GeIL dołączyły nowe, sześciokanałowe zestawy pamięci DDR3, dedykowane platformie Intel Core i7. Układy należą do serii EVO One, Value oraz Ultra. Zestawy składają się z sześciu modułów pamięci każdy i oferują łączną pojemność do 12 GB. Pomiędzy sobą odróżnia je częstotliwość taktowania, opóźnienia dostępu oraz napięcie zasilania (1,5~1,65V). Kierowane do graczy układy EVO One to kości o prędkościach od 1066 MHz do 2000 MHz. Seria Value charakteryzuje się rozpiętością zegarów od 1066 MHz do 1600 MHz, natomiast seria Ultra to moduły o taktowaniach od 1333 MHz do 2000 MHz. Pełna lista nowych zestawów znajduje się w rozwinięciu. Ceny rozpoczynać będą się od 950 złotych brutto.
Seria EVO One:
- GE312GB1066C7HC | PC3 8500 1066MHz CL 7-7-7-20
- GE312GB1066C8HC | PC3 8500 1066MHz CL 8-8-8-20
- GE312GB1333C6HC | PC3 10660 1333MHz CL 6-6-6-24
- GE312GB1333C7HC | PC3 10660 1333MHz CL 7-7-7-24
- GE312GB1333C9HC | PC3 10660 1333MHz CL 9-9-9-24
- GE312GB1600C7HC | PC3 12800 1600MHz CL 7-7-7-24
- GE312GB1600C8HC | PC3 12800 1600MHz CL 8-8-8-28
- GE312GB1800C8HC | PC3 14400 1800MHz CL 8-8-8-28
- GE312GB1800C9HC | PC3 14400 1800MHz CL 9-9-9-28
- GE312GB2000C8HC | PC3 16000 2000MHz CL 8-8-8-28
- GE312GB2000C9HC | PC3 16000 2000MHz CL 9-9-9-28
Seria Value:
- GV312GB1066C7HC | PC3 8500 1066MHz CL 7-7-7-20
- GV312GB1066C8HC | PC3 8500 1066MHz CL 8-8-8-28
- GV312GB1333C7HC | PC3 10660 1333MHz CL 7-7-7-24
- GV312GB1333C9HC | PC3 10660 1333MHz CL 9-9-9-24
- GV312GB1600C8HC | PC3 12800 1600MHz CL 8-8-8-28
Seria Ultra:
- GU312GB1333C6HC | PC3 10660 1333MHz CL 6-6-6-24
- GU312GB1600C7HC | PC3 12800 1600MHz CL 7-7-7-24
- GU312GB1800C8HC | PC3 14400 1800MHz CL 8-8-8-28
- GU312GB1800C9HC | PC3 14400 1800MHz CL 9-9-9-28
- GU312GB2000C8HC | PC3 16000 2000MHz CL 8-8-8-28
- GU312GB2000C9HC | PC3 16000 2000MHz CL 9-9-9-28
Źródło: Informacje Prasowe
Powiązane publikacje

Pamięć ULTRARAM ma zielone światło. Partner QUINAS Technology opracował metodę, która otwiera furtkę do masowej produkcji
29
Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko
19
SK hynix największym producentem pamięci DRAM. Samsung po raz pierwszy stracił pozycję lidera. Powód? NVIDIA
9
CXMT opóźnia masową produkcję pamięci DDR5 do końca 2025 roku z powodu problemów z jakością i wydajnością termiczną
7