Samsung przygotowuje się do produkcji pamięci V-NAND o 300 warstwach. Bazujące na niej nośniki mogą pojawić się w 2024 roku

Technologia NAND flash jest obecnie jedną z szybciej rozwijających się w branży komputerowej. Choć także na ten sektor wpłynęła gorsza koniunktura rynkowa, to firmy mają imponujące plany odnośnie rozwoju pamięci tego typu. Pojawiły się właśnie konkretne informacje na temat planów Samsunga na przyszły rok. Koreańska firma zamierza wypracować przewagę nad jednym ze swoich największych konkurentów w tym segmencie rynku, czyli SK hynix.

Do produkcji pamięci V-NAND o 300 warstwach zastosowana zostanie technologia zakładająca obecność dwóch stosów nałożonych jeden na drugi. Szacuje się, że granicą dla tego rozwiązania jest 400 warstw.

Samsung prezentuje pamięci GDDR7 dla kart graficznych - ich produkcja rozpocznie się w przyszłym roku

Jak donosi serwis DigiTimes, produkcja nowej pamięci ruszy już w 2024 roku. Cały układ będzie składał się z dwóch stosów nałożonych jeden na drugi. Jest to technologia wykorzystywana przez koreańską firmę od 2020 roku, ale nigdy nie zaoferowano produktów z tak dużą liczbą warstw. Plany SK hynix na 2025 rok zakładają masową produkcję pamięci o 321 warstwach, jednak w tym przypadku wykorzystane zostaną aż trzy odrębne stosy. Zatem to rozwiązanie Samsunga będzie cechowało się większym zagęszczeniem, co powinno pozwolić na dostarczenie na rynek tańszych nośników SSD.

Samsung osiąga lepszy uzysk z procesu technologicznego 3 nm niż TSMC, ale nie zmienia to na razie sytuacji rynkowej

Teoretycznie pamięć składająca się z trzech stosów i o mniejszym zagęszczeniu jest łatwiejsza w produkcji, jednakże pochłania dodatkowe zasoby i zwiększa liczbę etapów wymaganych do wytworzenia kompletnego produktu. Oznacza to, że rozwiązanie Samsunga będzie miało najprawdopodobniej przewagę w efektywnych kosztach produkcji, choć biorąc pod uwagę niższy uzysk, należy podejść do tej informacji z pewnym dystansem. Spekuluje się także, że po debiucie następnej generacji pamięci w 2024 roku, Samsung może przerzucić się na potrójne stosy, żeby dostarczyć na rynek pamięci o 430 warstwach 3D NAND. Granica 400 warstw jest przywoływana przez ekspertów jako punkt, w którym znacząco spada uzysk w porównaniu do rozwiązania cechującego się zaledwie dwoma stosami. Dalekosiężne plany Samsunga zakładają produkcję pamięci z 1000 warstw do 2030 roku.