Zgłoś błąd

X

Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.

Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

Intel gotowy do produkcji pamięci MRAM w technologii FinFET

Bogdan Stech | 22-02-2019 09:00 |

Intel gotowy do produkcji pamięci MRAM w technologii FinFETIntel jest gotowy do rozpoczęcia produkcji i podał szczegóły dotyczące swojej pamięci magnetorezystancyjnej SST-MRAM czyli Spin Transfer Torque – Magnetoresistive Random Access Memory. Nie jest to nowość, ale technologia ta wciąż nie znalazła jeszcze szerszego zastosowania. Mimo wielu zalet. Jest to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny pracującej w oparciu o prądy spinowe. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej i twardej warstwy ferromagnetycznej oraz z oplotu przewodnika. Zapis polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianę rezystancji złącza. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji.

Konstrukcja MRAM jest odporna na duże wahania napięcia. Co nie jest bez znaczenia, uzysk przy produkcji nowych pamięci to 99,99 procent.

Intel gotowy do produkcji pamięci MRAM w technologii FinFET [3]

W tym tygodniu, na wystąpieniu w trakcie międzynarodowej konferencji Circuit Solid State Circuit Intel podał, że tworząc swoje nowe pamięci użył schematu "write-verify-write" i dwustopniowej techniki pomiaru Current Sensing, a same pamięci zostały wytworzone w procesie technologicznym 22 nm FinFET. Jako, że MRAM to pamięć nieulotna, układy Intela zapewniają 10 letnie przechowywanie danych bez zasilania i wytrzymałość w temperaturach od - 40 do 125 ° C. Wytrzymałość zapisu i odczytu określono na ponad milion cykli. Idealnie więc nadają się do urządzeń typu Internet Rzeczy (IoT), które wkrótce obecne mają być niemal w każdej dziedzinie naszego życia. Ale to nie wszystko. Jest to pamięć uniwersalna i może zastąpić równocześnie pamięci DRAM i NAND flash. Czas dostępu wynosi 4 ns przy napięciu 0,9 V, możliwy jest również odczyt z prędkością 8 ns przy 0,8 V, choć jak powiedział Intel, w przyszłości ten czas może wynieść nawet 1 ns.

G.SKILL - Nowe moduły RAM 4266 MHz dla platformy Intel X299

Intel gotowy do produkcji pamięci MRAM w technologii FinFET [1]

Konstrukcja MRAM jest również odporna na duże wahania zasilania. Co nie jest bez znaczenia, uzysk przy produkcji nowych pamięci to 99,99 procent. Intel przedstawił także również prace nad rezystywną pamięcią RAM - Resistive random-access memory (ReRAM lub RRAM). To również ma być pamieć uniwersalna - łączącą w sobie szybkość działania RAM i możliwości zapisu oraz pojemności pamięci Flash. ReRAM jest obecnie rozwijany przez wiele firm. Podobnie jak w przypadku MRAM, wśród licznych zalet nowej pamięci jest jej wytrzymałość - około milion cykli zapisu i kasowania oraz zachowanie integracji danych przez 10 lat po odłączeniu od zasilania. Czas reakcji podczas odczytu może być mniejszy niż 10 ns. Jest to idealne, tanie rozwiązanie dla wbudowanej pamięci nieulotnej w SoC używanych w IoT i motoryzacji.

Intel gotowy do produkcji pamięci MRAM w technologii FinFET [2]

Źródło: Eetimes, Wiki
0
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 10

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.