Pamięci MRAM - 500 razy szybsze od NAND Flash
Everspin Technologies jako pierwszy na świecie producent układów scalonych, zaczął wysyłać próbki pamięci typu MRAM (Magnetoresistive Random Acces Memory) do wybranych podmiotów i partnerów biznesowych. Firma nazywa wyprodukowane przez siebie kości ST-MRAM (Spin-Torque MRAM). Są to tzw. pamięci nieulotne, czyli po odłączeniu zasilania dotychczasowe dane pozostają zapamiętane w nienaruszonej formie. Producent twierdzi, że jego kości są blisko 500 razy szybsze niż stosowane w aktualnie dyskach SSD. Niestety, jest to okupione blisko 50 razy wyższą ceną! Specyfikacja przedstawia się następująco: 1,6 miliarda operacji IOPS oraz do 3,2 GB/s przepustowości, zaś opóźnienie jest mierzone w nanosekundach. Tradycyjne SSD dostępne w sprzedaży posiadają IOPS na poziomie setek tysięcy, przepustowość ograniczoną przez interfejs SATA III do 6 Gb/s i opóźnienie liczone bardziej w mikrosekundach niż nanosekundach.
Jak widać technologia MRAM jest jedną z kandydatek do stworzenia pamięci przyszłości/następnej generacji. Niestety, czeka nas jeszcze długa droga zanim zwykli konsumenci będą mogli sobie pozwolić na takie nowinki. Cena jest najmniejszym problemem, ponieważ przeważnie każda nowa technologia jest na początku dość droga. Większość z Was powinna pamiętać ile kosztowały np. pierwsze dyski SSD. Były to wartości liczone w tysiącach złotych. Większym problemem może być pobór energii elektrycznej. Według testów Everspin, kości NAND Flash o łącznej pojemności 64 GB potrzebują około 80 mW do poprawnego działania, natomiast 1 GB ST-MRAM potrzebuje aż 400mW. Firma planuje rozpoczęcie masowej produkcji w 2013 roku. Zapewne pierwsze urządzenia trafią najpierw na rynek wydajnych serwerów. Sama firma jest zdania, że ST-MRAM nie wyprą dysków SSD, a raczej zostaną w nich zaimplementowane np. jako pamięć podręczna.
Źródło: TweakTown
Powiązane publikacje

Cena pamięci DDR4 gwałtownie rośnie. Wszystko przez drastyczny spadek produkcji i napięcia między USA a Chinami
53
Chińska firma CXMT rzuca wyzwanie Samsungowi i SK Hynix, skupiając się na pamięciach DDR5 i HBM3
11
G.SKILL OC World Cup 2025 - overclocker CENS wygrywa drugie mistrzostwa z rzędu w podkręcaniu pamięci DDR5
7
ASRock Z890 Taichi OCF i G.SKILL Trident Z5 pozwoliły osiągnąć rekord DDR5. 12806 MT/s wyciśnięte przez overclockera
9