Pamięci GDDR6 Samsunga nagrodzone za największą innowację
Już od kilku lat karty graficzne wyposażane są w doskonale znane moduły GDDR5. Tylko te lepsze modele dostają nieco inne pamięci - w przypadku układów NVIDII są to nieco ulepszone GDDR5X, natomiast w przypadku topowych kart AMD innowacyjne HBM i HBM2. Tymczasem ciągle czekamy na wprowadzenie nowego typu pamięci do mainstreamowych jednostek. Czy nastąpi to już w generacji Volta od Zielonych? Tego jeszcze nie wiemy, jednak w razie czego mamy świadomość, że stosowne moduły są w zasadzie gotowe i przy okazji bardzo wydajne. Samsung pochwalił się właśnie, że jego nadchodzące pamięci GDDR6 otrzymały od CES nagrodę za Najlepszą Innowację. To dobry prognostyk przed tym, co nas czeka.
Nowy moduł GDDR6 przy zastosowaniu magistrali 384-bitowej jest w stanie zapewnić przepustowość na poziomie 768 GB/s. To właściwie dwukrotnie lepszy wynik od tych uzyskiwanych przez typowe moduły GDDR5.
Konkretnie chodzi o moduł K4ZAF325BM-HC14. To pierwsza kość pamięci od koreańskiego producenta, która osiąga wydajność 16 gigabitów na sekundę przy napięciu 1,35 V, co jednocześnie ma przekładać się na przesył danych do 64 GB/s. Oznacza to, że nowy moduł GDDR6 przy zastosowaniu magistrali 384-bitowej jest w stanie zapewnić przepustowość na poziomie 768 GB/s. To właściwie dwukrotnie lepszy wynik od tych uzyskiwanych przez typowe moduły GDDR5, które poza tym pracują przy wyższym napięciu (1,5 V). Wynik robi wrażenie, tym bardziej, że to przecież tylko próbka inżynieryjna.
SK Hynix prezentuje pamięci GDDR6 - znamy specyfikację
Pamięci GDDR6 od Samsunga raczej nie zagoszczą prędko w konsumenckich kartach graficznych. Spekuluje się, że pojawią się one w następnej generacji układów od NVIDII (Volta), które powinny zadebiutować w przyszłym roku. Zakładamy więc, że konkretne informacje w tej sprawie napłyną do nas właśnie po Nowym Roku, jednak jak na razie nic nie jest jeszcze pewne. Nowe moduły oprócz oczywistej wysokiej wydajności będą również znacznie tańsze od również szybkich pamięci HBM2. Oprócz Samsunga GDDR6 przygotowuje również Micron oraz SK Hynix.
Powiązane publikacje

CXMT dostarcza Huawei próbki pamięci HBM3. Chiński gigant półprzewodników rzuca wyzwanie globalnym liderom
21
Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione
8
Crucial wprowadza pamięci LPCAMM2 8533 MT/s. Nowy standard dla laptopów łączy wydajność LPDDR5X z możliwością rozbudowy
27
Nowy rekord świata w overclockingu pamięci RAM DDR5, przebito kolejną barierę, osiągając prędkość 13 020 MT/s
5







![Pamięci GDDR6 Samsunga nagrodzone za największą innowację [2]](https://www.purepc.pl/image/news/2017/11/12_pamieci_gddr6_samsunga_nagrodzone_za_najwieksza_innowacje_1.jpg)
![Pamięci GDDR6 Samsunga nagrodzone za największą innowację [1]](https://www.purepc.pl/image/news/2017/11/12_pamieci_gddr6_samsunga_nagrodzone_za_najwieksza_innowacje_0.png)





