.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国
 

Samsung o przyszłości: pamięci MRAM i technologia 3 nm

Bogdan Stech | 06-12-2018 10:00 |

Samsung o przyszłości: pamięci MRAM i technologia 3 nm W San Francisco w USA zakończyła się 64. konferencja International Electron Devices Meeting. Podczas przemówienia programowego dr ES Jung, prezes Foundry Business w Samsung Electronics stwierdził, że następna rewolucja przemysłowa może nastąpić tylko dzięki ciągłej ewolucji technologii związanej z półprzewodnikami. W trakcie jego prezentacji można było też dowiedzieć się kilku ciekawych szczegółów z laboratoriów koreańskiego giganta. Wśród poruszanych spraw był temat pamięci nieulotnej wbudowanej w konwencjonalny proces logiczny, litografii 3nm osiąganej dzięki nanotechnologii Gate-All-Around (GAA) czy niezwykle trwałej i zużywającej minimalne ilości energii pamięci MRAM.

MBCFET jest wytwarzany przy użyciu 90 procent linii technologicznej wykorzystywanej do procesu FinFET. Umożliwi to tanią, szybką i łatwą migrację mocy produkcyjnych.

Samsung o przyszłości: pamięci MRAM i technologia 3 nm  [2]

Dr Jung przedstawił także najnowsze badania i najnowsze prace rozwojowe dotyczące przyszłej technologii krzemowej. Mówił o pamięci MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory) – rodzaju pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny lub zjawisko gigantycznego magnetooporu. MRAM jest jednym z przykładowych nowych rozwiązań z wykorzystaniem półprzewodników, które zużywają znacznie mniej energii. Wraz ze wzrostem gęstości pamięci, efektywność energetyczna MRAM staje się bardziej widoczna. Takie pamięci zużywają jedynie 0,5 procent mocy w porównaniu do SRAM przy module 1024 Mb. MRAM ma również mniejszą komórkę, co pozwala na większą elastyczność projektowania.

Weterani branży o przyszłości rynku pamięci, Chinach i cenach

Samsung o przyszłości: pamięci MRAM i technologia 3 nm  [1]

Mowa była również o technologii GAA firmy Samsung, zwanej Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Ta całkowicie nowa architektura składa się z tranzystorów typu GAA (Gate-All-Around) wytworzonych z nanoprzewodów. MBCFET Samsunga to rozwiązanie typu MOSFET wykorzystujące jednak pionowe i poziome nanodruty i nanopłytki. Tranzystory byłyby w tym przypadku produkowane w 3nm procesie technologicznym. Dzięki zmiennej szerokości nanopłytek technologia ta zapewnia nie tylko optymalną wydajność i charakterystykę poboru mocy, ale także dużą elastyczność projektowania. Nanotechnologia pozwoli więc w tym przypadku na ominięcie fizycznych ograniczeń jakie trapią FinFET. Ponadto, i to jest najważniejsze ze strony biznesowej, MBCFET jest wytwarzany przy użyciu 90 procent linii technologicznej wykorzystywanej do procesu FinFET. Umożliwi to tanią, szybką i łatwą migrację mocy produkcyjnych. Firma stwierdziła, że prace nad technologią MBCFET przebiegają zgodnie z harmonogramem. Uczestnicy konferencji dowiedzieli się także, że Samsung ma już za sobą udane testy pamięci SRAM o wysokiej gęstości.

Źródło: Samsung
Twoja ocena publikacji:
0
Liczba komentarzy: 14

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.