Samsung o przyszłości: pamięci MRAM i technologia 3 nm

W San Francisco w USA zakończyła się 64. konferencja International Electron Devices Meeting. Podczas przemówienia programowego dr ES Jung, prezes Foundry Business w Samsung Electronics stwierdził, że następna rewolucja przemysłowa może nastąpić tylko dzięki ciągłej ewolucji technologii związanej z półprzewodnikami. W trakcie jego prezentacji można było też dowiedzieć się kilku ciekawych szczegółów z laboratoriów koreańskiego giganta. Wśród poruszanych spraw był temat pamięci nieulotnej wbudowanej w konwencjonalny proces logiczny, litografii 3nm osiąganej dzięki nanotechnologii Gate-All-Around (GAA) czy niezwykle trwałej i zużywającej minimalne ilości energii pamięci MRAM.

MBCFET jest wytwarzany przy użyciu 90 procent linii technologicznej wykorzystywanej do procesu FinFET. Umożliwi to tanią, szybką i łatwą migrację mocy produkcyjnych.

Dr Jung przedstawił także najnowsze badania i najnowsze prace rozwojowe dotyczące przyszłej technologii krzemowej. Mówił o pamięci MRAM (ang. Magnetoresistive Random Access Memory) – rodzaju pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny lub zjawisko gigantycznego magnetooporu. MRAM jest jednym z przykładowych nowych rozwiązań z wykorzystaniem półprzewodników, które zużywają znacznie mniej energii. Wraz ze wzrostem gęstości pamięci, efektywność energetyczna MRAM staje się bardziej widoczna. Takie pamięci zużywają jedynie 0,5 procent mocy w porównaniu do SRAM przy module 1024 Mb. MRAM ma również mniejszą komórkę, co pozwala na większą elastyczność projektowania.

Weterani branży o przyszłości rynku pamięci, Chinach i cenach

Mowa była również o technologii GAA firmy Samsung, zwanej Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Ta całkowicie nowa architektura składa się z tranzystorów typu GAA (Gate-All-Around) wytworzonych z nanoprzewodów. MBCFET Samsunga to rozwiązanie typu MOSFET wykorzystujące jednak pionowe i poziome nanodruty i nanopłytki. Tranzystory byłyby w tym przypadku produkowane w 3nm procesie technologicznym. Dzięki zmiennej szerokości nanopłytek technologia ta zapewnia nie tylko optymalną wydajność i charakterystykę poboru mocy, ale także dużą elastyczność projektowania. Nanotechnologia pozwoli więc w tym przypadku na ominięcie fizycznych ograniczeń jakie trapią FinFET. Ponadto, i to jest najważniejsze ze strony biznesowej, MBCFET jest wytwarzany przy użyciu 90 procent linii technologicznej wykorzystywanej do procesu FinFET. Umożliwi to tanią, szybką i łatwą migrację mocy produkcyjnych. Firma stwierdziła, że prace nad technologią MBCFET przebiegają zgodnie z harmonogramem. Uczestnicy konferencji dowiedzieli się także, że Samsung ma już za sobą udane testy pamięci SRAM o wysokiej gęstości.