Samsung prezentuje pamięć UFS 5.0. Flagowe smartfony otrzymają potężny zastrzyk wydajności
Smartfony coraz częściej mają wykonywać zadania AI bez odsyłania wszystkiego do chmury, ale taka zmiana wymaga nie tylko mocniejszego procesora. Lokalne modele językowe, analiza obrazu czy szybkie przetwarzanie danych potrzebują również bardzo sprawnej pamięci masowej. Na szczęście Samsung pokazał właśnie rozwiązanie, które ma przygotować przyszłe urządzenia mobilne na ten scenariusz. Gigant pokazał właśnie pamięć UFS 5.0 dla urządzeń z on-device AI.
Samsung opracował pamięć UFS 5.0, która ma ponad dwukrotnie przebić osiągi UFS 4.1 i lepiej obsłużyć lokalne modele AI. Masowa produkcja ruszy jeszcze w 2026 roku, a nowe układy trafią m.in. do smartfonów, gogli XR i urządzeń noszonych.
Organizacja JEDEC przedstawiła specyfikację pamięci UFS 5.0. Szykuje się ogromny wzrost wydajności w smartfonach
Według Samsunga opracowany układ UFS 5.0 osiąga sekwencyjny odczyt do 10,8 GB/s oraz sekwencyjny zapis do 9,5 GB/s. Firma podkreśla, że to ponad dwa razy więcej niż w przypadku dotychczas stosowanego standardu UFS 4.1. Taki wzrost ma przełożyć się na krótsze opóźnienia i szybszą reakcję urządzeń uruchamiających duże modele językowe lokalnie, bez pełnego polegania na serwerach. Samsung wykorzystał najnowszy standard interfejsu pamięci wbudowanej JEDEC, a całość pozycjonuje nie tylko jako magazyn danych, lecz także jako element infrastruktury potrzebnej do obsługi obliczeń AI w urządzeniach mobilnych.
SK hynix zrobił ruch, którego Samsung nie zignoruje. HBM4E trafia do klientów szybciej, niż wielu zakładało
Nowa pamięć ma być też bardziej energooszczędna. Samsung deklaruje ponad 40-procentową poprawę efektywności względem własnego rozwiązania UFS 4.1, m.in. dzięki technikom clock gating i multi-voltage, które ograniczają energię potrzebną do przesyłania tej samej ilości danych. Układ zamknięto w obudowie 7,5 x 13 x 0,9 mm, czyli o 16,7% mniejszej od poprzednika, co ma ułatwić projektowanie smukłych telefonów, urządzeń noszonych i sprzętu XR. Masowa produkcja UFS 5.0 ruszy w czwartym kwartale 2026 roku, a Samsung planuje oferować różne pojemności, aż do 1 TB. Pierwsze urządzenia z taką pamięcią powinny więc pojawić się w kolejnej fali flagowców nastawionych na lokalne funkcje AI.
Powiązane publikacje

Budżetowy SSD z 2010 roku wytrzymał zapis jednego petabajta danych. Dysk przekroczył deklarowane TBW aż 25-krotnie
61
Miało być 400 warstw, a wyszło tylko 375. SK hynix zderzył się z problemem, którego nie załatwi marketing
16
Micron 6600 ION to istny gigant wśród dysków SSD. Prawie ćwierć petabajta miejsca na dane dla centrów danych
29
NEO Semiconductor pokazało 3D X-DRAM. To nie jest jeszcze pogromca HBM, ale pierwsze testy wyglądają ciekawie
6







![Samsung prezentuje pamięć UFS 5.0. Flagowe smartfony otrzymają potężny zastrzyk wydajności [1]](/image/news/2026/06/23_samsung_prezentuje_pamiec_ufs_5_0_flagowe_smartfony_otrzymaja_potezny_zastrzyk_wydajnosci_1.png)
![Samsung prezentuje pamięć UFS 5.0. Flagowe smartfony otrzymają potężny zastrzyk wydajności [2]](/image/news/2026/06/23_samsung_prezentuje_pamiec_ufs_5_0_flagowe_smartfony_otrzymaja_potezny_zastrzyk_wydajnosci_0.png)





