Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Samsung prezentuje pamięć UFS 5.0. Flagowe smartfony otrzymają potężny zastrzyk wydajności

Piotr Piwowarczyk | 23-06-2026 10:30 |

Samsung prezentuje pamięć UFS 5.0. Flagowe smartfony otrzymają potężny zastrzyk wydajnościSmartfony coraz częściej mają wykonywać zadania AI bez odsyłania wszystkiego do chmury, ale taka zmiana wymaga nie tylko mocniejszego procesora. Lokalne modele językowe, analiza obrazu czy szybkie przetwarzanie danych potrzebują również bardzo sprawnej pamięci masowej. Na szczęście Samsung pokazał właśnie rozwiązanie, które ma przygotować przyszłe urządzenia mobilne na ten scenariusz. Gigant pokazał właśnie pamięć UFS 5.0 dla urządzeń z on-device AI.

Samsung opracował pamięć UFS 5.0, która ma ponad dwukrotnie przebić osiągi UFS 4.1 i lepiej obsłużyć lokalne modele AI. Masowa produkcja ruszy jeszcze w 2026 roku, a nowe układy trafią m.in. do smartfonów, gogli XR i urządzeń noszonych.

Samsung prezentuje pamięć UFS 5.0. Flagowe smartfony otrzymają potężny zastrzyk wydajności [1]

Organizacja JEDEC przedstawiła specyfikację pamięci UFS 5.0. Szykuje się ogromny wzrost wydajności w smartfonach

Według Samsunga opracowany układ UFS 5.0 osiąga sekwencyjny odczyt do 10,8 GB/s oraz sekwencyjny zapis do 9,5 GB/s. Firma podkreśla, że to ponad dwa razy więcej niż w przypadku dotychczas stosowanego standardu UFS 4.1. Taki wzrost ma przełożyć się na krótsze opóźnienia i szybszą reakcję urządzeń uruchamiających duże modele językowe lokalnie, bez pełnego polegania na serwerach. Samsung wykorzystał najnowszy standard interfejsu pamięci wbudowanej JEDEC, a całość pozycjonuje nie tylko jako magazyn danych, lecz także jako element infrastruktury potrzebnej do obsługi obliczeń AI w urządzeniach mobilnych.

Samsung prezentuje pamięć UFS 5.0. Flagowe smartfony otrzymają potężny zastrzyk wydajności [2]

SK hynix zrobił ruch, którego Samsung nie zignoruje. HBM4E trafia do klientów szybciej, niż wielu zakładało

Nowa pamięć ma być też bardziej energooszczędna. Samsung deklaruje ponad 40-procentową poprawę efektywności względem własnego rozwiązania UFS 4.1, m.in. dzięki technikom clock gating i multi-voltage, które ograniczają energię potrzebną do przesyłania tej samej ilości danych. Układ zamknięto w obudowie 7,5 x 13 x 0,9 mm, czyli o 16,7% mniejszej od poprzednika, co ma ułatwić projektowanie smukłych telefonów, urządzeń noszonych i sprzętu XR. Masowa produkcja UFS 5.0 ruszy w czwartym kwartale 2026 roku, a Samsung planuje oferować różne pojemności, aż do 1 TB. Pierwsze urządzenia z taką pamięcią powinny więc pojawić się w kolejnej fali flagowców nastawionych na lokalne funkcje AI.

Źródło: Samsung
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 6

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.