ReRAM zastąpi NAND Flash? Następcy SSD są bliżej niż myślisz

Ostatnimi czasy pojawiły się wstępne diagnozy, jakoby przyszłość pamięci NAND flash nie była taka świetlana, jak powszechnie się uważa. Przeprowadzone badania wykazały, iż wraz ze zmniejszaniem procesu technologicznego znacząco spadnie także wydajność, zaś wzrośnie awaryjność kości. Rzekomo absolutny kres opłacalności dla pamięci NAND flash to proces 6,5 nm, który miałby zakończyć ich karierę za około dziesięć lat. Teoretycznie to szmat czasu, ale żeby opracować i wdrożyć na rynek konsumencki nową technologie, mogącą z powodzeniem zastąpić SSD, wcale nie jest go zbyt dużo. Jednak takie rozwiązanie już istnieje i nosi nazwę ReRAM (Resistance Random Access Memory). Atmosferę może podgrzać fakt, że SanDisk werbuje inżynierów do prac nad konstrukcją urządzeń z tą technologią, co sugeruje jej rychły debiut... Czyżby następcy dysków SSD mieli pojawić się wcześniej, niż wszyscy przypuszczamy?

ReRAM łączy w sobie najlepsze cechy NAND flash oraz DRAM, czyli szybkość i możliwość przechowywania danych po odłączeniu zasilania, zaś całość opiera się na tzw.: memrystory (oporniki pamięciowe). Opornością układu można sterować elektrycznie, nadaje się więc do przechowywania bitu informacji w pojedynczej komórce pamięci, a prędkości transferów powinny być niezwykle wysokie (poziom DRAM). ReRAM jest także bardzo energooszczędnym rozwiązaniem, które nie odczuwa negatywnych skutków miniaturyzacji, co powinno też korzystnie wpłynąć na jego cenę. Nad technologią pracują obecnie Sony, Panasonic, Hynix, Micron i DSI, natomiast najbliżej zakończenia badan jest chyba Elpida, która oznajmiła iż uzyskała zmiany oporności rzędu 10 nanosekund. Pierwsze całkowicie sprawne próbki ReRAM powinny pojawić się w przyszłym roku.

Źródło EeTimes