SK hynix wprowadza 96-warstwowe kości pamięci flash NAND

SK Hynix wprowadził na rynek pierwsze na świecie 96-warstwowe kości pamięci flash 4D NAND o pojemności 512 Gb oparte jednak o rozwiązanie 3D TLC (Triple-Level Cell). Wielu komentatorów uważa, że jest to więc jedynie chwyt marketingowy, a nie prawdziwy układ 4D. Być może jednak uda się w tym przypadku połączyć dobre parametry z niską ceną. Choć tej jeszcze nie znamy, nie ulega wątpliwości, że Hynix dołączył do elitarnego grona firm, które mają w ofercie takie zaawansowane rozwiązania. Produkcja pierwszych nośników przeznaczonych na rynek konsumenckich ma się rozpocząć jeszcze w tym roku. Firma zapowiedziała także, że przedstawi w drugiej połowie 2019 roku nowe dyski dla firm.

Nowy układ 4D NAND jest o ponad 30 procent mniejszy i zwiększył produktywność bita na wafel o 49 procent

Stosując technologię 3D CTF (Charge Trap Flash) w połączeniu z technologią PUC (Periphery Under Cell) SK Hynix chwali się, że połączył 3D CTF z PUC po raz pierwszy w branży. W rezultacie uzyskał bardzo dobrą wydajność. Firma nazwała produkt 4D NAND oparty na CTF, aby odróżnić go od obecnych technologii pamięci flash 3D NAND i układów z bramką pływającą. Obwody są w nim umieszczone pod komórkami flash, stąd nazwa PUC (Periphery Under Cell), aby zmaksymalizować efektywność przestrzeni. Inne firmy stosują podobną technologię. Micron ma CMOS Under the Array (CUA), a Samsung Core over Periphery. CFT różni się od bardziej konwencjonalnej technologii MOSFET z pływającą bramką, ponieważ wykorzystuje azotek krzemu do przechowywania elektronów zamiast krzemu polikrystalicznego, typowego dla pływającej bramki, minimalizując przerwy między komórkami flash.

SK Hynix ogłasza dostępność 4-terabajtowych dysków SSD

Nowy układ 4D NAND jest o ponad 30 procent mniejszy i zwiększył produktywność bita na wafel o 49 procent w porównaniu z 72-warstwową kością 3D NAND tej samej firmy. Co więcej, układ ma 30 procent szybszy zapis i 25 procent wyższą wydajność odczytu. Ponadto jego przepustowość danych jest "podwojona do największego w branży wartości 64KB" - jak opisuje producent. Wraz z wprowadzeniem nowej architektury izolatorów bramki, prędkość danych I/O (Input Output) osiąga 1200 Mb/s przy napięciu 1,2 V. SK Hynix twierdzi, że nowe rozwiązanie 4D NAND trafi do masowej produkcji przed końcem roku. W oparciu o 96-warstwowe kości pamięci flash 4D NAND o pojemności 512 Gb, SK Hynix wprowadzi na rynek dyski SSD o pojemności 1 TB wyposażone w własne kontrolery i oprogramowanie firmowe.